西部數據技術公司劉小勇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西部數據技術公司申請的專利使用雙自由層的磁傳感器電橋獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113848517B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110254168.5，技術領域涉及：G01R33/09；該發明授權使用雙自由層的磁傳感器電橋是由劉小勇;Q·勒;Z·白;D·毛里;Z·李;K·S·胡;T·A·阮;R·納加比拉瓦設計研發完成，并于2021-03-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本使用雙自由層的磁傳感器電橋在說明書摘要公布了：本發明題為“使用雙自由層的磁傳感器電橋”。本公開整體涉及利用雙自由層DFL結構的傳感器裝置，諸如磁傳感器電橋。該裝置包括多個電阻器，每個電阻器包括相同的DFL結構。與DFL結構相鄰的是磁性結構，該磁性結構可包括永磁體、其上具有合成AFMSAF結構的反磁鐵AFM層、其上具有SAF結構的永磁體或者其上具有鐵磁層的AFM層。DFL結構與磁性結構的不同層對準以區分電阻器。不同的對準和或不同的磁性結構由于降低的復雜性而減少了生產時間，從而降低了成本。
本發明授權使用雙自由層的磁傳感器電橋在權利要求書中公布了：1.一種傳感器裝置，包括： 第一電阻器，所述第一電阻器包括： 至少一個第一雙自由層傳感器即第一DFL傳感器，每個第一DFL傳感器包括第一合成反鐵磁軟偏置側屏蔽即第一SAF軟偏置側屏蔽、第二SAF軟偏置側屏蔽、以及設置在第一和第二SAF軟偏置側屏蔽之間的第一自由層和第二自由層，其中所述第一SAF軟偏置側屏蔽包括第一下軟偏置、設置在所述第一下軟偏置上的第一間隔件、以及設置在所述第一間隔件上的第一上軟偏置，并且其中所述第二SAF軟偏置側屏蔽包括第二下軟偏置、設置在所述第二下軟偏置上的第二間隔件、以及設置在所述第二間隔件上的第二上軟偏置；和 至少一個第一磁性結構，其中每個第一磁性結構包括： 第一反鐵磁AFM層即第一AFM層；和 設置在所述第一AFM層上方的合成反鐵磁結構即SAF結構，其中當以橫截面觀察時，所述至少一個第一DFL傳感器與所述SAF結構線性對準；和 第二電阻器，所述第二電阻器包括： 至少一個第二DFL傳感器；和 至少一個第二磁性結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西部數據技術公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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