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龍圖騰網獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利制作集成熱電轉換器的方法和由此獲得的集成熱電轉換器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113764567B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110539522.9，技術領域涉及：H10N10/01；該發明授權制作集成熱電轉換器的方法和由此獲得的集成熱電轉換器是由P·菲拉里;F·F·維拉;L·祖里諾;A·諾梅爾里尼;L·塞吉齊;L·扎諾蒂;B·穆拉里;M·斯科拉里設計研發完成，并于2021-05-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本制作集成熱電轉換器的方法和由此獲得的集成熱電轉換器在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及制作集成熱電轉換器的方法和由此獲得的集成熱電轉換器。一種方法包括：提供硅基材料層，具有第一表面以及與第一表面相對并且通過硅基材料層厚度與第一表面隔開的第二表面；形成具有第一塞貝克系數的第一熱電半導體材料的多個第一熱電有源元件，以及形成具有第二塞貝克系數的第二熱電半導體材料的多個第二熱電有源元件，第一和第二熱電有源元件被形成為從第一表面延伸穿過硅基材料層厚度到第二表面；形成與硅基材料層的第一和第二表面相對應的導電互連件，并且形成電連接至導電互連件的輸入電端子和輸出電端子，第一和第二熱電半導體材料包括在多孔硅或多晶SiGe或多晶硅中選擇的硅基材料。

本發明授權制作集成熱電轉換器的方法和由此獲得的集成熱電轉換器在權利要求書中公布了：1.一種制作熱電轉換器的方法，包括： 在硅基材料層中形成具有第一塞貝克系數的第一熱電半導體材料的多個第一熱電有源元件、以及具有第二塞貝克系數的第二熱電半導體材料的多個第二熱電有源元件，所述硅基材料層具有第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、以及在所述第一表面與所述第二表面之間的第一厚度，所述第一熱電有源元件和所述第二熱電有源元件各自被形成為從所述第一表面延伸穿過所述第一厚度到所述第二表面；以及 在所述硅基材料層的所述第一表面或所述第二表面中的至少一個表面之上形成導電互連件，所述導電互連件各自將所述多個第一熱電有源元件中的第一熱電有源元件與所述多個第二熱電有源元件中的一個對應的第二熱電有源元件電互連；以及形成電耦合至所述導電互連件的輸入電端子和輸出電端子， 其中所述第一熱電半導體材料和所述第二熱電半導體材料各自包括從由多孔硅、多晶硅鍺SiGe和多晶硅組成的組選擇的硅基材料； 其中形成所述多個第一熱電有源元件和所述多個第二熱電有源元件包括：形成分別圍繞所述多個第一熱電有源元件和所述多個第二熱電有源元件中的每個熱電有源元件的環形溝槽； 其中所述第一熱電有源元件包括多孔硅的第一部分以及多晶硅的第二部分，所述第二部分在所述第一部分與襯底之間。

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