中國科學院福建物質結構研究所鄧水全獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院福建物質結構研究所申請的專利一種晶體材料光學性能的獲取方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115376629B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110554561.6,技術領域涉及:G16C60/00;該發明授權一種晶體材料光學性能的獲取方法是由鄧水全;程曦月;秘漢相;李振華設計研發完成,并于2021-05-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種晶體材料光學性能的獲取方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種晶體材料光學性能的獲取方法,包括獲取晶體材料的波函數及電子結構;根據波函數和電子結構,構造晶體材料的位置矩陣元;根據位置矩陣元計算晶體材料的線性光學極化率、非線性光學極化率以及晶體材料中的單原子對晶體材料的非線性光學極化率的貢獻中的至少一種。本發明能夠準確獲知晶體材料線性和非線性光學極化率以及該晶體材料中每個原子對非線性光學極化率的貢獻,區分元素導帶和價帶的貢獻,不僅有助于劃分NLO材料的功能基元,尋找新型高性能NLO材料,而且對理解光電場和物質相互作用的本質有著重要啟發。
本發明授權一種晶體材料光學性能的獲取方法在權利要求書中公布了:1.一種晶體材料光學性能的獲取方法,其特征在于,包括: 獲取晶體材料的波函數及電子結構; 根據所述波函數和所述電子結構,構造所述晶體材料的位置矩陣元; 根據所述位置矩陣元計算所述晶體材料的線性光學極化率、非線性光學極化率以及所述晶體材料中的單原子對所述晶體材料的非線性光學極化率的貢獻; 根據所述位置矩陣元計算所述晶體材料的非線性光學極化率,具體為: 根據第七公式計算所述晶體材料的非線性光學極化率中的帶間躍遷項,所述第七公式為: 其中,Ω為所述晶體材料中單胞的體積,Wk表示不同k點的權重,k點為布里淵區高對稱點,fnmk=fnk-fmk,fnk表示能帶n處電子的費米分布,r表示位置矩陣元,ωm表示能帶m處電子的振動頻率,ω表示光電場的振動頻率; 根據第八公式計算所述晶體材料的非線性光學極化率中的帶內躍遷項,所述第八公式為: 根據第九公式計算所述晶體材料的非線性光學極化率中的帶內躍遷對帶間躍遷的調制項,所述第九公式為: 其中,
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