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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利一種柵控雪崩快速閉合IGBT及其對稱結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114361254B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111348542.4，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權一種柵控雪崩快速閉合IGBT及其對稱結構是由湯曉燕;郭登耀;宋慶文;張玉明設計研發完成，并于2021-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種柵控雪崩快速閉合IGBT及其對稱結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種柵控雪崩快速閉合IGBT，自下而上依次包括：集電極金屬、襯底、第一外延層、第二外延層、第三外延層、發射極金屬以及柵金屬；其中，第三外延層內部設有第一摻雜區、第二摻雜區以及第三摻雜區；第一摻雜區起始于第三外延層的上表面并向下延伸至第三外延層的下表面；第二摻雜區起始于第三外延層的左上角并向下右下延伸至第三外延層內部，且與第一摻雜區具有一定間隔；第三摻雜區位于第二摻雜區內，且與第二摻雜區左右兩側具有一定間隔；發射極金屬位于部分第二摻雜區和部分第三摻雜區上方；柵金屬位于第二摻雜區和第一摻雜區之間的第三外延層上方。在脈沖功率系統中，本發明提供的雪崩閉合IGBT與傳統IGBT相比可顯著縮短脈沖前沿，提高脈沖源性能。

本發明授權一種柵控雪崩快速閉合IGBT及其對稱結構在權利要求書中公布了：1.一種柵控雪崩快速閉合IGBT，其特征在于，自下而上依次包括：集電極金屬1、襯底2、第一外延層3、第二外延層4、第三外延層5、發射極金屬6以及柵金屬7；其中， 所述第三外延層5內部設有第一摻雜區51、第二摻雜區52以及第三摻雜區53； 所述第一摻雜區51起始于所述第三外延層5的上表面并向下延伸至所述第三外延層5的下表面； 所述第二摻雜區52起始于所述第三外延層5的左上角并向下右下延伸至所述第三外延層5內部，且與所述第一摻雜區51具有一定間隔，同時在所述第三外延層5中沒有額外摻雜的部分形成第一漂移區54； 所述第三摻雜區53起始于所述第二摻雜區52的上表面并向下延伸至所述第二摻雜區52內，且與所述第二摻雜區52左右兩側具有一定間隔； 所述發射極金屬6位于部分所述第二摻雜區52和部分所述第三摻雜區53上方； 所述柵金屬7位于所述第二摻雜區52和所述第一摻雜區51之間的所述第三外延層5上方，且所述柵金屬7與所述第三外延層5之間還設有柵極8和柵介質層9； 其中，所述第一外延層3和所述第二外延層4的摻雜類型相同；所述第三外延層5與所述襯底2的摻雜類型相同，且與所述第二外延層4異型摻雜； 所述第一摻雜區51、所述第二摻雜區52與所述第三外延層5的摻雜類型相同；所述第三摻雜區53與所述第二外延層4的摻雜類型相同； 所述第一摻雜區51和所述第三摻雜區53均為重摻雜區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。