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龍圖騰網獲悉北京工業大學申請的專利一種超薄寬帶RCS縮減編碼電磁超表面獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114336076B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210035426.5，技術領域涉及：H01Q15/00；該發明授權一種超薄寬帶RCS縮減編碼電磁超表面是由張銘;席宇鵬;王如志;王長昊;孟憲瑞;張持;李賽楠;馬林昊;彭凱設計研發完成，并于2022-01-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種超薄寬帶RCS縮減編碼電磁超表面在說明書摘要公布了：本發明公開了一種超薄寬帶編碼RCS縮減超表面，涉及人工電磁超材料技術領域，由反射幅度相同，反射相位相差為180°的兩種超表面單元按照PSO算法得到的優化規律排列組成。本發明基于陣列理論考慮設計兩種AMC結構進行復合，從而有效拓寬RCS減縮作用帶寬；根據相位相消原理，并使用粒子群PSO優化算法進行優化設計獲得一種超薄超寬帶的編碼RCS縮減超表面；兩種超表面基本單元相位差在全作用帶寬21?35GHz達到180°±1°，從而使該編碼電磁超表面實現相對帶寬達到47.2％、縮減效果超過10dB的優異性能。

本發明授權一種超薄寬帶RCS縮減編碼電磁超表面在權利要求書中公布了：1.一種超薄寬帶編碼RCS縮減超表面，其特征在于，由反射幅度相同，反射相位相差為180°的兩種超表面單元按照PSO算法得到的優化規律排列組成； 所述超表面單元的結構包括依次設置的底板金屬層、中間介質層和頂層圖形單元； 所述超表面單元包括兩種：代表1的第一超表面單元、代表0的第二超表面單元； 所述第一超表面單元的所述頂層圖形單元的圖形由第一半徑四分之一圓環結構，第二半徑四分之一圓環結構，第三半徑四分之一圓環結構和傳輸線貼片結構組成，所述頂層圖形單元的圖形的中心與單元中心重合； 第一半徑四分之一圓環結構的半徑第二半徑四分之一圓環結構的半徑第三半徑四分之一圓環結構的半徑，且第一半徑四分之一圓環結構、第二半徑四分之一圓環結構和第三半徑四分之一圓環結構為同心四分之一圓環結構； 所述第一超表面單元的所述頂層圖形單元的圖形包括兩個沿對角線對稱分布的第一半徑四分之一圓環結構、兩個沿對角線對稱分布的第二半徑四分之一圓環結構、兩個第三半徑四分之一圓環結構和一根傳輸線；其中，傳輸線貫穿兩個第一半徑四分之一圓環結構和兩個第二半徑四分之一圓環結構，兩個第三半徑四分之一圓環結構沿傳輸線對稱分布； 所述第二超表面單元由所述第一超表面單元沿對稱中心旋轉90°得到。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京工業大學，其通訊地址為：100124 北京市朝陽區平樂園100號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。