買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司申請的專利半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115000161B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202210601247.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/815；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的制備方法是由房育濤;陳帥;葉念慈;張潔設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-30向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及半導(dǎo)體外延技術(shù)領(lǐng)域，該半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)包括襯底、成核層和緩沖層，本發(fā)明通過在襯底上形成成核層，然后再在成核層上形成緩沖層，其中，成核層包括多層周期性摻雜且重復(fù)排列的半導(dǎo)體周期疊層，從而使得成核層形成了具有不同摻雜類型的摻雜超晶格結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例采用不同摻雜類型的摻雜超晶格結(jié)構(gòu)提高成核層的晶體質(zhì)量，本發(fā)明實(shí)施例利用形成的摻雜超晶格可以減小外延層穿透位錯(cuò)而獲得高晶體質(zhì)量的外延薄膜，并且能夠簡單高效地獲得高質(zhì)量成核層，減少外延層穿透位錯(cuò)，從而獲得高晶體質(zhì)量的外延薄膜。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 襯底； 位于所述襯底表面的成核層； 以及位于所述成核層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的緩沖層； 其中，所述成核層包括多層依次堆疊的半導(dǎo)體周期疊層，至少一層所述半導(dǎo)體周期疊層為摻雜結(jié)構(gòu)，且多層所述半導(dǎo)體周期疊層形成具有不同摻雜類型的摻雜超晶格結(jié)構(gòu); 每層所述半導(dǎo)體周期疊層包括依次堆疊的第一薄膜層和第二薄膜層，所述第一薄膜層摻雜有第一摻雜原子，所述第二薄膜層摻雜有第二摻雜原子，其中，所述第一摻雜原子和所述第二摻雜原子為不同種類的摻雜原子； 所述襯底為硅Si、碳化硅SiC、藍(lán)寶石中的一種；所述成核層為摻雜的AlN層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，其通訊地址為：410000 湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)長興路399號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。