浙江大學張慶海獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利芯片制造中晶圓注入離子環節的高精度電通量計算方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115203628B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210853666.6，技術領域涉及：G06F17/11；該發明授權芯片制造中晶圓注入離子環節的高精度電通量計算方法是由張慶海設計研發完成，并于2022-07-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本芯片制造中晶圓注入離子環節的高精度電通量計算方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種針對芯片制造過程中晶圓注入離子環節的高精度電通量計算方法，其利用流映射、向后脈線和固定曲面構造生成曲面，進而采用拉格朗日通量算法LFC對三維數值進行求解，得到粒子穿過固定曲面的電通量。對于三維數值的LFC算法，算法的時間區間可以任意的長，并且算法中避免了求曲線交點；且LFC算法實現簡單，且具有高精度、高效率以及穩定性，還達到了二、四、六階收斂率。
本發明授權芯片制造中晶圓注入離子環節的高精度電通量計算方法在權利要求書中公布了：1.一種針對芯片制造過程中晶圓注入離子環節的高精度電通量計算方法，包括如下步驟： 步驟1首先確定三維空間中的流速場初始時刻粒子的濃度函數以及固定曲面其中為三維空間中任一點的位置信息，表示時間，表示初始時刻； 步驟2根據流速場構造一個流映射φ； 步驟3根據流映射φ構造向后脈線其表示時間段內通過位置M的所有粒子的集合； 步驟4利用流映射φ、向后脈線和固定曲面構造生成曲面 步驟5利用濃度函數和生成曲面計算時間段內粒子穿過固定曲面的電通量I。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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