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龍圖騰網(wǎng)獲悉勝高股份有限公司申請(qǐng)的專利晶片的鏡面倒角方法、晶片的制造方法及晶片獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116330084B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310474932.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B24B9/06；該發(fā)明授權(quán)晶片的鏡面倒角方法、晶片的制造方法及晶片是由山下健兒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-09-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本晶片的鏡面倒角方法、晶片的制造方法及晶片在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：提供能夠抑制晶片的主面與倒角面的邊界的棱角的晶片的鏡面倒角方法。本發(fā)明是將晶片W的倒角面借助研磨墊4、6鏡面研磨的晶片的鏡面倒角方法，其特征在于，使研磨墊4、6的主面與晶片W的主面所成的角度α1、α2為倒角時(shí)的倒角角度的目標(biāo)值以下。

本發(fā)明授權(quán)晶片的鏡面倒角方法、晶片的制造方法及晶片在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種晶片，其特征在于， 將掃描方向設(shè)為x軸，將從晶片的主面的外周端向中心側(cè)400～600μm的位置設(shè)為掃描的起點(diǎn)，將從晶片的外周端向中心側(cè)100～300μm的位置設(shè)為掃描的終點(diǎn)，將晶片的表面形狀沿徑向掃描得到輪廓曲線fx， 將輪廓曲線fx用x來(lái)二次微分，由此得到二次微分曲線f”x，確定二次微分曲線f”x的峰的深度最大的峰，將最大峰的深度設(shè)為d，將y＝-d×60％和y＝f”x的交點(diǎn)的x坐標(biāo)設(shè)為x1、x2， 將x1≤x≤x2的區(qū)域的輪廓曲線fx用圓擬合，將擬合的圓的半徑的大小用作棱角的指標(biāo)， 掃描晶片的正面?zhèn)鹊闹髅娴那闆r下，將擬合的圓的半徑稱作正面與倒角邊界部的棱角量，在掃描晶片的背面?zhèn)鹊闹髅娴那闆r下，將擬合的圓的半徑稱作背面與倒角邊界部的棱角量， 正面與倒角邊界部的棱角量及或背面與倒角邊界部的棱角量為200μm以上， ESFQRmax為45nm以下， 前述晶片的上倒角寬度A1及下倒角寬度A2均為200μm～450μm。

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