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龍圖騰網獲悉中核四0四有限公司申請的專利一種遠程等離子體源發生裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115346852B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210968057.5，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權一種遠程等離子體源發生裝置是由付天佐;鐘軼強;孟樹文;李天福;鄒曉禹;周利華;王悅;王江設計研發完成，并于2022-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種遠程等離子體源發生裝置在說明書摘要公布了：本發明涉及等離子體處理技術領域，且公開了一種遠程等離子體源發生裝置，包括連接法蘭，連接法蘭用于與薄膜沉積腔體連接。該遠程等離子體源發生裝置，通過外部抽真空裝置對薄膜沉積腔體進行抽真空，避免該等離子體源發生裝置內部存留其余氣體而造成等離子體發生污染，再通過進氣組件精準控制流入直管段內的氣源，并通過放電組件對氣體進行電感耦合放電式或者電容耦合放電式，從而使得氣源發生等離子體啟輝并與薄膜沉積腔體內的半導體或者集成電路基體表面發生薄膜沉積，同時通過彎管段對輸入直管段內的氣體進行過渡，避免直管段內的等離子體與金屬連接件直接轟擊而造成等離子體發生污染，達到簡單方便多級防污染及精準控制薄膜沉積效果。

本發明授權一種遠程等離子體源發生裝置在權利要求書中公布了：1.一種遠程等離子體源發生裝置，包括連接法蘭1，連接法蘭1用于與薄膜沉積腔體連接，其特征在于：還包括直管段2，連接法蘭1的進氣端連通有直管段2，直管段2的外壁設置有用于激發直管段2內部氣體發生等離子體啟輝的放電組件3，直管段2遠離連接法蘭1的一端設置有彎管段4，直管段2與彎管段4為一體制件，彎管段4的進氣端設置有金屬轉接件5，金屬轉接件5的進氣端設置有進氣組件6，進氣組件6用于控制流入彎管段4的氣流量，薄膜沉積腔體的排氣端與外部抽真空裝置連接； 放電組件3包括第一殼體31、線圈32和第一接線端子33，第一殼體31設置于直管段2的外壁，直管段2的外壁且位于殼體31的內側纏繞有線圈32，殼體31上設置有與線圈32電連接的第一接線端子33，第一接線端子33用于對線圈32通入交變電流并激發直管段2內部氣體發生等離子體啟輝； 所述的一種遠程等離子體源發生裝置的使用方法，包括如下步驟： S1、將待加工的半導體或者集成電路放入薄膜沉積腔體內，并通過外部抽真空裝置對薄膜沉積腔體及直管段2和彎管段4內進行抽真空； S2、打開進氣組件6上的閥門63并配合流量計62控制四通管61的三個進氣端分別流入金屬轉接件5內的氬氣、氮氣和氨氣的氣流量，同時通過接通放電組件3上的電源，觀察直管段2內的氣體是否發生等離子體啟輝現象，若未發生，則通過調整放電組件3上第一接線端子33的輸入電流值或第二接線端子36上的輸出電壓值，直至直管段2內的氣體正常啟輝； S3、待半導體或者集成電路表面薄膜沉積完成，斷開放電組件3上的電源并關閉進氣組件6上的閥門63，取出半導體或者集成電路，待下一工件循環加工。

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