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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種激光剝離碳化硅晶錠的方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115555736B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211322500.8，技術領域涉及：B23K26/38；該發明授權一種激光剝離碳化硅晶錠的方法及裝置是由侯煜;李曼;張喆;石海燕;張昆鵬;文志東;張紫辰設計研發完成，并于2022-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種激光剝離碳化硅晶錠的方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明提供了一種激光剝離碳化硅晶錠的方法及裝置，該方法先將超短脈沖激光光束透過碳化硅晶錠的第一端面后聚焦在碳化硅晶錠的設定深度層，在設定深度層的上方分別產生空洞改質形成區域和裂紋改質形成區域，并掃描形成空洞改質層和裂紋改質層。再將短脈沖激光光束透過碳化硅晶錠的第二端面后聚焦在空洞改質形成區域，在空洞改質形成區域散射傳播，使短脈沖激光光束的熱量作用于空洞改質形成區域，使裂紋改質形成區域內的裂紋橫向向外生長，并掃描使空洞改質層中相鄰的空洞改質形成區域內的裂紋通過橫向生長連接在一起。減少改質層內的裂紋沿碳化硅晶錠縱向擴展的量和長度，增加橫向裂紋生長的數量和裂紋生長長度，減少切割損耗厚度，減少浪費。

本發明授權一種激光剝離碳化硅晶錠的方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種激光剝離碳化硅晶錠的方法，待切割的所述碳化硅晶錠具有相對的第一端面和第二端面，其特征在于，所述方法包括： 將超短脈沖激光光束透過所述第一端面后，聚焦在待切割的碳化硅晶錠的設定深度層位置，以在所述設定深度層位置的上方分別產生空洞改質形成區域和裂紋改質形成區域；其中，所述空洞改質形成區域位于所述設定深度層位置與所述裂紋改質形成區域之間； 控制所述超短脈沖激光光束透過所述第一端面后，聚焦在所述碳化硅晶錠的設定深度層并在所述設定深度層掃描，以在所述設定深度層位置的上方分別形成空洞改質層和裂紋改質層；其中，所述空洞改質層由多個所述空洞改質形成區域組成，所述裂紋改質層由多個所述裂紋改質形成區域組成，且所述空洞改質層位于所述設定深度層與所述裂紋改質層之間； 將短脈沖激光光束透過所述第二端面后，聚焦在所述空洞改質形成區域，并在所述空洞改質形成區域散射傳播，使所述空洞改質形成區域內的裂紋橫向向外生長并通過裂紋改質形成區域阻擋空洞改質形成區域內的裂紋縱向向上生長； 控制所述短脈沖激光光束透過所述第二端面后，聚焦在所述空洞改質層并在所述設定深度層掃描，以使所述空洞改質層中任意相鄰的空洞改質形成區域內的裂紋通過橫向生長連接在一起； 以所述空洞改質層為界面，將碳化硅晶錠的一部分剝離生成碳化硅晶片。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。