上海精測半導體技術有限公司金秀龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海精測半導體技術有限公司申請的專利量測校準方法及監控量測設備穩定性方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116313865B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310146572.X，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權量測校準方法及監控量測設備穩定性方法是由金秀龍;翟冬梅;張戎;羅昺寰;張云;李仲禹設計研發完成，并于2023-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本量測校準方法及監控量測設備穩定性方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種量測校準方法及監控量測設備穩定性的方法，該量測校準方法包括：制備表面覆蓋介質膜的標準晶片；對標準晶片進行預處理；獲取預處理后的標準晶片表面的空氣分子污染層的生長公式；根據空氣分子污染層的生長公式，對與標準晶片具有相同存放環境的待測晶片的表面的介質膜的量測厚度進行校準，以獲取待測晶片表面的介質膜的校準厚度；標準晶片和待測晶片的表面具有相同類型的介質膜。該量測校準方法通過對晶片表面空氣分子污染吸附和生長規律進行動態監測，然后通過其規律修正晶片的介質膜厚度，實現了介質膜量測厚度的校準，提高了獲取介質膜厚度的精度。
本發明授權量測校準方法及監控量測設備穩定性方法在權利要求書中公布了：1.一種量測校準方法，其特征在于，包括： 制備表面覆蓋介質膜的標準晶片； 對所述標準晶片進行預處理； 獲取預處理后的標準晶片表面的空氣分子污染層的生長公式； 根據所述空氣分子污染層的生長公式，對與所述標準晶片具有相同存放環境的待測晶片的表面的介質膜的量測厚度進行校準，以獲取所述待測晶片表面的介質膜的校準厚度； 其中，所述標準晶片和所述待測晶片的表面具有相同類型的介質膜，所述待測晶片和所述標準晶片非同一晶片。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海精測半導體技術有限公司，其通訊地址為：201702 上海市青浦區徐涇鎮雙浜路269、299號1幢1、3層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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