ASM IP控股有限公司D·科恩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉ASM IP控股有限公司申請的專利用于沉積經摻雜鍺錫半導體的方法和相關半導體裝置結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109427547B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201810725750.3，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權用于沉積經摻雜鍺錫半導體的方法和相關半導體裝置結構是由D·科恩;H·B·普羅菲特設計研發完成，并于2018-07-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于沉積經摻雜鍺錫半導體的方法和相關半導體裝置結構在說明書摘要公布了：公開一種用于沉積鍺錫Ge1?xSnx半導體的方法。所述方法可包含：在反應腔室內提供襯底；將所述襯底加熱到沉積溫度；以及將所述襯底暴露于鍺前體和錫前體。所述方法可進一步包含：將鍺錫Ge1?xSnx半導體沉積在所述襯底的表面上；以及將所述鍺錫Ge1?xSnx半導體暴露于硼摻雜劑前體。還提供包含通過本公開的方法形成的鍺錫Ge1?xSnx半導體的半導體裝置結構。
本發明授權用于沉積經摻雜鍺錫半導體的方法和相關半導體裝置結構在權利要求書中公布了：1.一種沉積經摻雜鍺錫（Ge1-xSnx）半導體的方法，包括： 在反應腔室內提供襯底； 將所述襯底加熱到沉積溫度； 將所述襯底暴露于鍺前體和錫前體； 將鍺錫（Ge1-xSnx）半導體沉積在所述襯底的表面上； 在將所述鍺錫（Ge1-xSnx）半導體沉積在所述襯底的表面上之后從所述反應腔室移除所述鍺前體和所述錫前體； 將所述鍺錫（Ge1-xSnx）半導體暴露于硼摻雜劑前體；以及 在將所述鍺錫（Ge1-xSnx）半導體暴露于硼摻雜劑前體之后，退火所述鍺錫（Ge1-xSnx）半導體， 其中將所述鍺錫（Ge1-xSnx）半導體暴露于硼摻雜劑前體在沉積所述鍺錫（Ge1-xSnx）半導體的反應腔室內進行。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人ASM IP控股有限公司，其通訊地址為：荷蘭阿爾梅勒；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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