三星電子株式會社;國際商業機器公司鄭在佑獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社;國際商業機器公司申請的專利具有用于形成合成反鐵磁體的非磁性間隔件層的Heusler化合物獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111554807B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010078380.6，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權具有用于形成合成反鐵磁體的非磁性間隔件層的Heusler化合物是由鄭在佑;斯圖爾特·S·P·帕金;希拉格·加爾各;馬赫什·G·薩曼特;帕納約蒂斯·哈里勞斯·菲利波;亞里·費蘭特設計研發完成，并于2020-02-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有用于形成合成反鐵磁體的非磁性間隔件層的Heusler化合物在說明書摘要公布了：描述了包括多層結構的器件，所述多層結構包括三層。第一層為磁性Heusler化合物，第二層用作間隔件層在室溫下為非磁性的，并且包括Ru和至少一種其它元素E優選地：Al；或者Ga或Al與Ga、Ge、Sn或它們的組合的合金的交替層，并且第三層也為磁性Heusler化合物。第二層的成分表示為Ru1?xEx，x在從0.45至0.55的范圍內。MRAM元件可通過依次形成襯底、所述多層結構、隧道勢壘和額外磁層其磁矩可切換而構成。
本發明授權具有用于形成合成反鐵磁體的非磁性間隔件層的Heusler化合物在權利要求書中公布了：1.一種磁性器件，包括： 多層結構，其包括： 第一層，其包括第一磁性Heusler化合物； 第二層，其在室溫下為非磁性的，所述第二層如下：接觸和覆蓋所述第一層；并且包括Ru以及Al二者，其中所述第二層的成分表示為Ru1-xAlx，x在從0.45至0.55的范圍內，所述第二層的厚度在 至的范圍內；以及 第三層，其接觸和覆蓋所述第二層，所述第三層包括第二磁性Heusler化合物。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社;國際商業機器公司，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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