中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司張田田獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112420595B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910786558.X，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體器件及其形成方法是由張田田;譚晶晶設計研發完成，并于2019-08-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其形成方法，其形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成介電層；刻蝕所述介電層，在所述介電層內形成通孔，暴露出所述基底表面；對所述通孔側壁的所述介電層進行表面處理；在所述通孔內填充滿金屬層；本發明在通孔內填充金屬層之前，對通孔側壁的介電層進行表面處理，提高后續填充的金屬層與通孔側壁的介電層之間的粘附力，金屬層和通孔之間具有較好的成形質量，從而提高形成的半導體器件的性能和良率。
本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，在所述基底上形成介電層； 刻蝕所述介電層，在所述介電層內形成通孔，暴露出所述基底表面； 對所述通孔側壁的所述介電層進行表面處理； 在所述通孔內填充滿金屬層，所述金屬層與所述通孔的側壁形成WNW-N-SiWSi的非晶相作為粘結層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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