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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種逆F類和三點式雙模操作的壓控振蕩器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119921678B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411873014.4，技術領域涉及：H03B5/12；該發明授權一種逆F類和三點式雙模操作的壓控振蕩器是由葉甜春;譚少峰;趙星;李彬鴻;李依潞;羅軍設計研發完成，并于2024-12-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種逆F類和三點式雙模操作的壓控振蕩器在說明書摘要公布了：本申請提供了一種逆F類和三點式雙模操作的壓控振蕩器，所述振蕩器為單核振蕩器，包括：有源負阻晶體管對、無源電感器組、頻率調節模塊、第一開關組和第二開關組；所述無源電感器組和頻率調節模塊形成無源諧振腔；所述第一開關組閉合且第二開關組斷開時，所述有源負阻晶體管對以差分的形式與所述無源電感器組連接，構成逆F類振蕩器；以及所述第一開關組斷開且第二開關組閉合時，所述有源負阻晶體管對以共模并聯的形式與所述無源電感器組連接，構成三點式振蕩器。本申請提供的技術方案避免了現有多核振蕩器中核心之間的不匹配導致諧振腔阻抗峰偏離預設值的問題，在低相位噪聲的基礎上，進一步拓寬了單核振蕩器的頻率調節范圍。

本發明授權一種逆F類和三點式雙模操作的壓控振蕩器在權利要求書中公布了：1.一種逆F類和三點式雙模操作的壓控振蕩器，其特征在于，所述振蕩器為單核振蕩器，包括：有源負阻晶體管對、無源電感器組、頻率調節模塊、第一開關組和第二開關組； 所述無源電感器組和頻率調節模塊形成無源諧振腔； 所述第一開關組閉合且第二開關組斷開時，所述有源負阻晶體管對以差分的形式與所述無源諧振腔連接，構成逆F類振蕩器；以及 所述第一開關組斷開且第二開關組閉合時，所述有源負阻晶體管對以共模并聯的形式與所述無源諧振腔連接，構成三點式振蕩器； 所述有源負阻晶體管對包括兩個NMOS管； 所述無源電感器組包括差分電感器組和共模電感器； 所述第一開關組包括：開關SWA1、開關SWA2和開關SWA3； 所述開關SWA1一端分別連接所述差分電感器組的一端和所述有源負阻晶體管對中一個NMOS管的漏極，另一端連接所述有源負阻晶體管對中一個NMOS管的柵極； 所述開關SWA2一端分別連接所述差分電感器組的另一端和所述有源負阻晶體管對中一個NMOS管的漏極，另一端連接所述有源負阻晶體管對中另一個NMOS管的柵極；以及 所述開關SWA3一端連接所述共模電感器的一端，另一端連接電源； 所述第二開關組包括：開關SWB1、開關SWB2、開關SWB3和開關SWB4； 所述開關SWB1的一端連接所述有源負阻晶體管對中一個NMOS管的柵極，所述開關SWB1的另一端連接所述有源負阻晶體管對中另一個NMOS管的柵極； 所述開關SWB2的一端分別連接所述差分電感器組的一端和所述有源負阻晶體管對中一個NMOS管的漏極，另一端分別連接所述差分電感器組的另一端和所述有源負阻晶體管對中另一個NMOS管的漏極； 所述開關SWB3一端分別連接所述開關SWB2的一端、所述差分電感器組的一端和所述有源負阻晶體管對中一個NMOS管的漏極，另一端連接電源；以及 所述開關SWB4一端分別連接所述開關SWB1的一端和所述有源負阻晶體管對中另一個NMOS管的柵極，另一端連接所述共模電感器的一端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。