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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利光纖耦合量子點單光子源陣列及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119717128B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411962268.3，技術領域涉及：G02B6/122；該發明授權光纖耦合量子點單光子源陣列及其制備方法是由劉峰;劉浩然;王雨桐;慕月瑤設計研發完成，并于2024-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本光纖耦合量子點單光子源陣列及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種光纖耦合量子點單光子源陣列及其制備方法，屬于半導體單光子源領域。陣列包括：由下至上布置的i型GaAs襯底、第一接觸層、第二接觸層和第三接觸層，第二接觸層中具有用于產生單光子的量子點層；制備于第二接觸層和第三接觸層上的長條狀的波導和弧形的光柵，制備于遠離光柵一側的波導上的一維光子晶體鏡，其中，波導與光柵連接；制備于波導和光柵下方的空氣槽；制備于所述光柵遠離波導一側的第三接觸層上表面的臺面；以及安裝于所述臺面上表面的經過研磨的光纖陣列。本發明的光纖耦合量子點單光子源陣列可以更為方便、有效地與其它量子光學回路耦合。

本發明授權光纖耦合量子點單光子源陣列及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種光纖耦合量子點單光子源陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 準備帶有半導體量子點的Ⅲ-Ⅴ族半導體結構，所述Ⅲ-Ⅴ族半導體結構由下至上包括i型GaAs襯底、第一接觸層、第二接觸層和第三接觸層；所述第二接觸層中具有用于產生單光子的量子點層； 刻蝕第二接觸層和第三接觸層，形成對稱布置的兩條凹槽，凹槽包括相互連接的第一段和第二段，兩條凹槽的第一段相互平行，其間未刻蝕的區域作為波導；兩條凹槽的第二段呈一定角度，所述角度為30-40度，在兩條凹槽的第二段間未刻蝕的區域處對第三接觸層進行不同深度的刻蝕，形成由多條弧形狹縫組成的光柵，所述弧形狹縫的凸起端朝向遠離波導的方向，所述光柵的主衍射級出射角為8～9度；再在遠離光柵一側的波導上刻蝕第二接觸層和第三接觸層，形成一維光子晶體鏡； 在所述光柵遠離波導一側的第三接觸層上表面形成臺面； 刻蝕波導和光柵下方的第一接觸層，形成空氣槽，所述空氣槽作為波導的包層，用于滿足波導的全反射條件；同時當單光子從波導耦合到光柵中且發生衍射時，所述空氣槽還能夠將發生衍射后的單光子反射，防止單光子進入i型GaAs襯底中； 在所述臺面的上表面安裝端面經過打磨的光纖陣列，使經過光纖陣列中的光纖出射的光能夠進入光柵中；其中，所述光纖陣列中打磨后的端面與水平面的夾角為20～50度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。