買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉河南省科學院材料研究所;河南省科學院申請的專利一種鈧鋁氧高k柵介質薄膜晶體管的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119776787B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411977131.5，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權一種鈧鋁氧高k柵介質薄膜晶體管的制備方法是由潘文高;劉恒;原紅星;肖麗麗;馮世壕;顧凱杰;趙美金;岳鵬飛;張國賞;宋克興設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種鈧鋁氧高k柵介質薄膜晶體管的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種鈧鋁氧高k柵介質薄膜晶體管的制備方法，包括清洗玻璃襯底或者Si襯底，依次在丙酮、酒精、去離子水中超聲清洗20min，以去除襯底基片上的雜質；用氮氣將清洗的襯底基片吹干，并在100℃烘箱中烘干10min；用Sc?Al?O陶瓷靶材通過磁控濺射方法在薄膜襯底上制備100nm厚的Sc?Al?O柵介質薄膜；將制備的Sc?Al?O薄膜在管式爐中空氣或者氧氣條件下在300℃~500℃下退火0.5h~2h，以獲得致密的柵介質材料；本發明提出的Sc?Al?O柵介質不僅可以有效抑制由于柵介質減薄引發的載流子隧穿效應，減少熱損耗，而且可以提高TFT器件的柵控能力，降低TFT器件的工作電壓，從而進一步降低器件功耗，這對可穿戴設備、電子紙等超低功耗顯示技術的應用具有重要意義。

本發明授權一種鈧鋁氧高k柵介質薄膜晶體管的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種鈧鋁氧高k柵介質薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、清洗玻璃襯底或者Si襯底，依次在丙酮、酒精、去離子水中超聲清洗20min，以去除襯底基片上的雜質； S2、用氮氣將清洗的襯底基片吹干，并在100℃烘箱中烘干10min； S3、用Sc-Al-O陶瓷靶材通過磁控濺射方法在薄膜襯底上制備100nm厚的Sc-Al-O柵介質薄膜，其中Sc-Al-O陶瓷靶材中ScAl摩爾比為1，記為ScAlOx；其具體沉積條件分別為本地真空5×10-4Pa，直流濺射功率100W~160W，工作氣壓0.3Pa~0.6Pa，濺射氣氛ArO2=500sccm~25sccm25sccm； S4、將上述制備的Sc-Al-O薄膜在管式爐中空氣或者氧氣條件下在300℃~500℃下退火0.5h~2h，以獲得致密的柵介質材料； S5、為了直接測試柵介質材料的電學性能，用磁控濺射結合蔭掩膜的方法在上述薄膜上沉積一層100nm厚且圖形化的金屬Al作為電極； S6、在步驟S4獲得高致密性ScAlOx材料的基礎上制備TFT器件；具體為：通過磁控濺射結合蔭掩膜的方法制備圖形化的InGaZnOIGZO半導體薄膜作為TFT器件的溝道層； S7、將上述制備的IGZO薄膜在管式爐中空氣或者氧氣條件下在300℃~400℃下退火0.5h~2h，以獲得低缺陷密度的溝道層材料； S8、用磁控濺射結合蔭掩膜的方法在IGZO薄膜上沉積一層100nm厚的金屬Al作為電極； S9、將邊緣處柵介質層劃破，暴露出底層的作為柵極的Si襯底，以進行后續器件性能測試。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人河南省科學院材料研究所;河南省科學院，其通訊地址為：450000 河南省鄭州市高新技術開發區長椿路11號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。