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龍圖騰網獲悉深圳市美思先端電子有限公司申請的專利一種MEMS濕法刻蝕加工方法及MEMS傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120364646B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510849072.1，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種MEMS濕法刻蝕加工方法及MEMS傳感器是由宏宇;武斌設計研發完成，并于2025-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MEMS濕法刻蝕加工方法及MEMS傳感器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種MEMS濕法刻蝕加工方法及MEMS傳感器，該加工方法包括在晶圓表面的介電層上方沉積保護材料層；在起始刻蝕位置對保護材料層及介電層進行刻蝕，使介電層下方的硅襯底暴露；對暴露的硅襯底進行KOH或TMAH濕法刻蝕，以在介電層下方刻蝕形成預設深度的中空腔體后清洗晶圓；使用干法刻蝕工藝對晶圓表面進行整面刻蝕以去除保護材料層，整面刻蝕的深度與保護材料層的厚度相等。上述濕法刻蝕加工方法通過沉積保護材料層，在起始位置刻蝕以暴露硅襯底之后再刻蝕硅襯底形成內部腔體，避免形成中空腔體后加工工藝對中空腔體上方的薄膜結構造成損壞，通過減少對已形成薄膜的晶圓進行操作，提高產品良率并保證器件功能完備。

本發明授權一種MEMS濕法刻蝕加工方法及MEMS傳感器在權利要求書中公布了：1.一種MEMS濕法刻蝕加工方法，其特征在于，所述刻蝕加工方法用于對晶圓進行刻蝕，所述晶圓包括依次層疊設置的介電層及硅襯底；所述介電層內嵌設置有至少一個電極，所述方法包括： 在所述晶圓表面的介電層上方沉積保護材料層； 在起始刻蝕位置對所述保護材料層及所述介電層進行刻蝕，使所述介電層下方的硅襯底暴露；所述起始刻蝕位置為需要使用刻蝕溶液進行刻蝕的起始位置； 在所述起始刻蝕位置對暴露的硅襯底進行KOH或TMAH濕法刻蝕，以在介電層下方刻蝕形成預設深度的中空腔體后清洗所述晶圓； 使用干法刻蝕工藝對所述晶圓表面進行整面刻蝕以去除保護材料層，所述整面刻蝕的深度與所述保護材料層的厚度相等； 所述在所述晶圓表面的介電層上方沉積保護材料層之后，還包括： 在所述電極上方進行刻蝕，刻蝕深度等于所述電極上方原始覆蓋的介電層的深度；所述在所述電極上方進行刻蝕，所得到的刻蝕開口尺寸不大于所述電極的外輪廓尺寸；所述介電層下方刻蝕的中空腔體的截面呈倒梯形。

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