江蘇邑文微電子科技有限公司;無錫邑文微電子科技股份有限公司劉田鵬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇邑文微電子科技有限公司;無錫邑文微電子科技股份有限公司申請的專利一種非晶硅薄膜及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120400814B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510885997.1，技術領域涉及：C23C16/52；該發明授權一種非晶硅薄膜及其制備方法與應用是由劉田鵬;穆洪楊;季潤梅;楊磊設計研發完成，并于2025-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種非晶硅薄膜及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體技術領域，涉及一種非晶硅薄膜及其制備方法與應用，所述制備方法包括：（1）采用PECVD方法，在硅烷和氫氣的第一混合氣氛中進行預沉積，得到非晶硅預沉積薄膜；（2）調節硅烷和氫氣的流量，在硅烷和氫氣的第二混合氣氛中進行主沉積，得到所述非晶硅薄膜。本發明提供的非晶硅薄膜的制備方法在進行PECVD時，均在硅烷和氫氣的混合氣氛中進行，能夠改善非晶硅薄膜的均一性，提高了非晶硅薄膜的質量；而且，本發明包括依次進行的預沉積與主沉積，通過預沉積改善了非晶硅薄膜的表面粗糙度，消除了磨砂外觀，滿足工業化生產需要。
本發明授權一種非晶硅薄膜及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種非晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法為： （1）采用PECVD方法，在硅烷和氫氣的第一混合氣氛中進行預沉積，得到非晶硅預沉積薄膜； 所述預沉積的壓力為0.6torr~1torr，射頻功率為50W~100W； 所述預沉積的溫度為250℃~300℃； （2）調節硅烷和氫氣的流量，在硅烷和氫氣的第二混合氣氛中進行主沉積，得到所述非晶硅薄膜； 所述主沉積的壓力為4torr~5torr，射頻功率為200W~300W； 所述主沉積的溫度為250℃~300℃。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇邑文微電子科技有限公司;無錫邑文微電子科技股份有限公司，其通訊地址為：226400 江蘇省南通市如東縣掘港街道金山路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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