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龍圖騰網獲悉無錫尚積半導體科技股份有限公司申請的專利雙級壓力調控等離子體刻蝕清洗設備及晶圓處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120527276B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202511022891.5，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權雙級壓力調控等離子體刻蝕清洗設備及晶圓處理方法是由范雄;朱建雄;原國棟;韓超然;王兆豐;王世寬設計研發完成，并于2025-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本雙級壓力調控等離子體刻蝕清洗設備及晶圓處理方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種雙級壓力調控等離子體刻蝕清洗設備及晶圓處理方法，設備包括主腔室、遠程等離子體源、副腔室、真空泵、第一閥板、第二閥板和限流板，限流板上開設有限流孔；通過限流孔奠定壓力差基礎，再配合第二閥板與調壓閥動態補償流量波動，能夠實現雙腔壓力的毫秒級精準控制，能夠確保兩種工作模式均可高效運行；晶圓處理方法針對多晶硅柵或者多晶硅基結構，在去膠階段，自由基與刻蝕殘留物發生反應，反應產物均為氣態，氣態產物可由真空泵抽出；通過這種“刻蝕去膠一體化”的協同工藝，充分利用多晶硅材料特性與雙級壓力調控設備優勢，在保障工藝質量的同時，實現了效率、成本與環保的平衡。

本發明授權雙級壓力調控等離子體刻蝕清洗設備及晶圓處理方法在權利要求書中公布了：1.一種雙級壓力調控等離子體刻蝕清洗設備，其特征在于，包括： 主腔室（11），配置有射頻電源，用于執行等離子體刻蝕工藝； 遠程等離子體源（1），用于生成去膠用活性自由基； 副腔室（12），連通所述遠程等離子體源（1）和所述主腔室（11）； 真空泵（2），連通所述主腔室（11），用于調控所述主腔室（11）的氣壓，并通過旁抽支路連通所述副腔室（12），所述旁抽支路中配置有調壓閥（3）； 第一閥板（21），設于所述主腔室（11）和所述副腔室（12）之間，用于動態隔離兩個腔室； 第二閥板（22），設于所述主腔室（11）與所述真空泵（2）之間，所述第二閥板（22）的開度可調，通過調節所述第二閥板（22）的開度，能夠改變所述主腔室（11）和所述真空泵（2）間的流導，從而實現壓力的瞬時控制； 其中，所述主腔室（11）和所述副腔室（12）之間還設有限流板，所述限流板上開設有限流孔，所述限流孔用于限制從所述副腔室（12）流向所述主腔室（11）的氣體流量、形成壓力梯度； 通過所述旁抽支路與所述限流板的協同作用，能夠實現副腔高壓與主腔低壓之間的動態壓力平衡，以便支持先刻蝕后去膠和邊刻蝕邊去膠兩種工作模式。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫尚積半導體科技股份有限公司，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市新吳區長江南路35-312號廠房；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。