南通咸昌新材料科技有限公司張鋒獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南通咸昌新材料科技有限公司申請的專利一種(111)晶向銻化銦晶片的表面清洗方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120527222B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202511021331.8,技術領域涉及:H01L21/02;該發明授權一種(111)晶向銻化銦晶片的表面清洗方法是由張鋒;王懷利;謝月林設計研發完成,并于2025-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種(111)晶向銻化銦晶片的表面清洗方法在說明書摘要公布了:本發明涉及一種(111)晶向銻化銦晶片的表面清洗方法,通過含有表面活性劑的溶液預清洗晶片表面,沖洗后再將晶片浸沒于雙氧水、氨水與水的混合溶液中進行腐蝕;然后將晶片浸沒于含有臭氧的稀硫酸溶液中進行清洗,通過混合溶液腐蝕和含有臭氧的稀硫酸溶液清洗來達到更好的表面清洗效果,從而更好的降低晶片表面顆粒密度、減少金屬殘留及實現均勻氧化。
本發明授權一種(111)晶向銻化銦晶片的表面清洗方法在權利要求書中公布了:1.一種(111)晶向銻化銦晶片的表面清洗方法,用于銻化銦(111)晶向晶片的表面清洗以降低晶片表面顆粒密度、減少金屬殘留及實現均勻氧化,其特征在于,包括以下步驟: S1.使用含有表面活性劑的溶液預清洗晶片表面,使表面呈現親水狀態; S2.采用去離子水沖洗晶片表面; S3.將晶片浸沒于雙氧水、氨水與水的混合溶液中進行腐蝕; S4.采用去離子水沖洗晶片表面; S5.使用晶片甩干機甩干表面; S6.將晶片浸沒于含有臭氧的稀硫酸溶液中進行清洗,清洗時,將晶片固定于晶片夾上,再將晶片夾放于溶液中并在水平方向左右晃動; S7.采用去離子水沖洗晶片表面; S8.使用甩干機將晶片甩干; S1中,所述表面活性劑為10%-50%濃度的脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉水溶液,處理時間為5s至60s。
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