長鑫存儲技術有限公司陳榮華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115643754B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110821360.8，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構及其制備方法是由陳榮華設計研發完成，并于2021-07-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種半導體結構及其制備方法，涉及半導體技術領域，該半導體結構包括基底，所述基底內具有第一摻雜區；設置在所述第一摻雜區內的有源柱組，所述有源柱組包括呈陣列排布的四個有源柱，至少一個所述有源柱上設置有缺口，所述缺口朝向所述有源柱組的行中心線和或列中心線。本申請實施例通過在至少一個有源柱上設置缺口，增加了缺口朝向該有源柱的中心凹陷的底壁與同一行或者同一列上另一個有源柱之間的距離，進而增加位于該缺口與缺口正對的面之間的電子的遷移路徑，降低設置有缺口的有源柱與位于同一行或者同一列上另一個有源柱之間的發生漏電的風險，提高了半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，所述基底內具有第一摻雜區； 設置在所述第一摻雜區內的有源柱組，所述有源柱組包括呈陣列排布的四個有源柱，至少一個所述有源柱上設置有缺口，所述缺口朝向所述有源柱組的行中心線和或列中心線，沿垂直于所述基底的方向，每個所述有源柱均包括溝道區以及分別設置在所述溝道區兩端的源極區和漏極區； 多個隔離結構，每個所述隔離結構設置在每個所述有源柱組中多個有源柱圍成的區域內，且所述隔離結構的底面高于所述漏極區的頂面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230011 安徽省合肥市經濟開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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