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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116347886B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111570795.6，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構及其形成方法是由劉志拯設計研發完成，并于2021-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種半導體結構及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成間隔排布的位線接觸孔、與所述位線接觸孔部分接觸的位線接觸以及位線結構，其中，所述位線結構至少包括導電層和絕緣蓋帽層；所述絕緣蓋帽層位于所述導電層上；在所述位線接觸孔內形成填滿所述位線接觸孔的第一絕緣層；在所述位線結構的兩側壁形成具有空氣夾層的絕緣結構，其中，所述空氣夾層的高度大于所述位線結構中導電層的高度。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成間隔排布的位線接觸孔、與所述位線接觸孔部分接觸的位線接觸以及位線結構，其中，所述位線結構至少包括導電層和絕緣蓋帽層；所述絕緣蓋帽層位于所述導電層上； 在所述位線接觸孔內形成填滿所述位線接觸孔的第一絕緣層； 在所述位線結構的兩側壁依次形成第二絕緣層、犧牲層和第三絕緣層，暴露出部分所述犧牲層的表面； 沿第一方向刻蝕所述犧牲層，形成空氣夾層，其中，所述第一方向為垂直于所述基底的方向，所述空氣夾層的高度大于所述位線結構中導電層的高度； 在所述位線結構的上表面，所述第二絕緣層、所述空氣夾層和所述第三絕緣層的表面形成初始第四絕緣層； 刻蝕位于所述位線結構頂部以上的所述初始第四絕緣層，形成覆蓋所述第三絕緣層、所述空氣夾層和所述第二絕緣層的第四絕緣層，得到位于所述位線結構兩側壁具有空氣夾層的絕緣結構，其中，所述絕緣結構包括依次堆疊的所述第二絕緣層、所述空氣夾層、所述第三絕緣層和所述第四絕緣層； 在相鄰所述第四絕緣層之間形成存儲節點接觸； 在所述絕緣結構的表面、所述存儲節點接觸的表面和所述位線結構的上表面形成金屬層； 刻蝕部分所述金屬層，形成第一開口，以暴露出位于所述位線結構第一側壁的絕緣結構的部分表面； 其中，刻蝕后剩余的所述金屬層形成與所述存儲節點接觸電連接的著落墊，所述著落墊覆蓋所述存儲節點接觸的表面、所述位線結構第二側壁的絕緣結構的表面和所述位線結構的上表面； 沿所述第一方向繼續刻蝕所述第一開口，刻蝕停止位置的高度高于所述位線結構中導電層的高度，形成第二開口；其中，靠近所述第一側壁的空氣夾層為具有第一高度的第一空氣夾層，靠近所述第二側壁的空氣夾層為具有第二高度的第二空氣夾層，且所述第一高度小于所述第二高度。

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