株式會社國際電氣今村友紀獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社國際電氣申請的專利基板處理裝置、等離子體生成裝置、半導體裝置的制造方法、基板處理方法及記錄介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975057B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111599732.3，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權基板處理裝置、等離子體生成裝置、半導體裝置的制造方法、基板處理方法及記錄介質是由今村友紀;奧田和幸;竹田剛;原大介設計研發完成，并于2021-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本基板處理裝置、等離子體生成裝置、半導體裝置的制造方法、基板處理方法及記錄介質在說明書摘要公布了：本發明涉及基板處理裝置、等離子體生成裝置、半導體裝置的制造方法、基板處理方法及記錄介質，提供一種能夠降低針對多個基板的基板處理性能的偏差的技術。提供一種技術，具備：第一等離子體電極單元377，其包含被賦予基準電位的作為第一基準電極的棒狀電極370、以及被施加高頻電力的作為第一施加電極和第二施加電極的棒狀電極369、371中的至少一方，對氣體進行等離子體激發；以及第二等離子體電極單元277，其包含被賦予基準電位的作為第二基準電極的棒狀電極270、以及被施加高頻電力且長度與第一施加電極和第二施加電極均不同的作為第三施加電極的棒狀電極269、271，對氣體進行等離子體激發。
本發明授權基板處理裝置、等離子體生成裝置、半導體裝置的制造方法、基板處理方法及記錄介質在權利要求書中公布了：1.一種基板處理裝置，其特征在于，具備： 處理室，其處理基板； 氣體供給部，其向所述處理室內供給氣體； 第一等離子體電極單元，其包含被施加高頻電力的第一施加電極和第二施加電極中的至少一方、以及被賦予基準電位的第一基準電極，對所述氣體進行等離子體激發；以及 第二等離子體電極單元，其包含被賦予基準電位的第二基準電極、被施加高頻電力且長度與所述第一施加電極和所述第二施加電極均不同的第三施加電極、以及被施加高頻電力且長度與所述第三施加電極不同的第四施加電極，對所述氣體進行等離子體激發。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社國際電氣，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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