蕪湖啟迪半導體有限公司左萬勝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蕪湖啟迪半導體有限公司申請的專利含超級結的增強型SiC異質結晶體管外延結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114335134B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111638261.2，技術領域涉及：H10D62/40；該發明授權含超級結的增強型SiC異質結晶體管外延結構及其制備方法是由左萬勝;袁松;胡新星;仇成功;劉敏;胡涵;趙海明;鈕應喜設計研發完成，并于2021-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本含超級結的增強型SiC異質結晶體管外延結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種含超級結的增強型SiC異質結晶體管外延結構及其制備方法，所述含超級結的增強型SiC異質結晶體管外延結構由下至上依次包括：SiC襯底層、N型高摻雜4H?SiC緩沖層、含超級結結構的N型漂移層、4H?SiC溝道層、3C?SiC勢壘層、P型3C?SiC層；通過在含有超級結及4H?SiC3C?SiC異質結結構的耗盡型外延結構的基礎上生長P型3C?SiC形成含超級結的增強型器件，提高器件可靠性。
本發明授權含超級結的增強型SiC異質結晶體管外延結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種含超級結的增強型SiC異質結晶體管外延結構，其特征在于，所述含超級結的增強型SiC異質結晶體管外延結構由下至上依次包括：SiC襯底層、N型高摻雜4H-SiC緩沖層、含超級結結構的N型漂移層、4H-SiC溝道層、3C-SiC勢壘層、P型3C-SiC層； 所述襯底層為正軸N型SiC襯底層； 所述N型高摻雜4H-SiC緩沖層的厚度為0.5～1μm，N的摻雜濃度為5×1017cm-3～2×1018cm-3。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蕪湖啟迪半導體有限公司，其通訊地址為：241000 安徽省蕪湖市弋江區高新技術產業開發區服務外包園3號樓1803；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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