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龍圖騰網獲悉蘇州能訊高能半導體有限公司申請的專利一種半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116417503B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111666167.8，技術領域涉及：H10D64/23；該發明授權一種半導體器件是由張乃千;裴軼;孫琳琳;張新川設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件在說明書摘要公布了：本發明實施例公開了一種半導體器件，包括位于有源區的多個源極、多個柵極和多個漏極；在有源區內，源極、柵極和漏極沿第一方向交替排列，沿第一方向，包括兩個分別最靠近排列端部的源極，任意一個柵極位于一個源極和一個漏極之間；至少位于中心的源極沿第一方向的長度大于位于兩端的源極沿第一方向的長度；半導體器件還包括貫穿襯底以及多層半導體層的多排通孔；多排通孔沿第一方向排列，源極在襯底上的正投影與通孔在襯底上的正投影交疊；沿第一方向，至少位于中心的源極對應設置的通孔排數是位于兩端的源極對應設置的通孔排數的2倍。本發明實施例的技術方案可以在增強半導體器件中心區域的散熱能力的同時，保證半導體器件的射頻特性。

本發明授權一種半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：有源區以及圍繞有源區的非有源區； 所述半導體器件還包括： 襯底； 多層半導體層，位于所述襯底的一側； 多個源極、多個柵極和多個漏極，位于所述多層半導體層遠離所述襯底的一側且位于所述有源區內；在所述有源區內，所述源極、所述柵極和所述漏極沿第一方向交替排列，沿所述第一方向，包括兩個分別最靠近排列端部的源極，任意一個所述柵極位于一個所述源極和一個所述漏極之間；所述第一方向平行于所述襯底所在平面； 其特征在于， 沿所述第一方向，至少位于中心的源極沿所述第一方向的長度大于位于兩端的源極沿所述第一方向的長度； 所述半導體器件還包括貫穿所述襯底以及所述多層半導體層的多排通孔；多排所述通孔沿所述第一方向排列，所述源極在所述襯底上的正投影與所述通孔在所述襯底上的正投影交疊；沿所述第一方向，位于兩端的源極對應設置有a排所述通孔，至少位于中心的源極對應設置有b排所述通孔，且滿足b=2*a；a和b均為正整數，且a≥1，b≥2； 沿所述第一方向，自位于一端的第一個源極起，第m個源極對應設置有b排通孔； 所述第m個源極沿所述第一方向的長度Ym滿足Ym≥3Yh+2Yc； 其中，Yh為所述通孔沿所述第一方向的長度，Yc為位于兩端的所述源極和所述通孔的相對邊緣在第一方向上的距離；m為大于1的正整數。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州能訊高能半導體有限公司，其通訊地址為：215300 江蘇省蘇州市昆山市高新區晨豐路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。