西安電子科技大學袁昊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利基區橫向摻雜濃度漸變的碳化硅功率器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114582954B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210109338.5，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權基區橫向摻雜濃度漸變的碳化硅功率器件及其制備方法是由袁昊;周瑜;湯曉燕;宋慶文;張玉明設計研發完成，并于2022-01-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本基區橫向摻雜濃度漸變的碳化硅功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供的一種基區橫向摻雜濃度漸變的碳化硅功率器件及其制備方法，制備出的基區橫向摻雜濃度漸變的碳化硅功率器件包括p+外延層1、P?基區2、N+襯底3、鈍化層4、背部電極5以及正面電極6；本發明P?基區2使用橫向變摻雜基區，可以提高P+P?結處P?基區的摻雜濃度，降低器件負角處的濃度梯度，抑制表面電場，提高器件的工作可靠性。
本發明授權基區橫向摻雜濃度漸變的碳化硅功率器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基區橫向摻雜濃度漸變的碳化硅功率器件，其特征在于，包括： p+外延層（1）、P-基區（2）、N+襯底（3）、鈍化層（4）、背部電極（5）以及正面電極（6）； 所述P-基區（2）位于所述N+襯底（3）之上，所述P-基區（2）的摻雜濃度由內而外呈規律變化，以使位于斜面處的P-基區濃度高于P-基區內部濃度；靠近N+襯底（3）一側低于靠近p+外延層（1）一側；所述p+外延層（1）位于所述P-基區（2）之上，所述正面電極（6）位于所述p+外延層（1）之上；所述p+外延層（1）、P-基區（2）以及N+襯底（3）呈梯形臺階結構；所述鈍化層（4）自上而下包裹所述p+外延層（1）、P-基區（2）以及N+襯底（3）呈梯形臺階結構外圍，且露出所述梯形臺階結構上表面的正面電極（6）；所述N+襯底（3）外側設置有臺階面，所述臺階面使N+襯底（3）上部分呈梯形，下部分呈矩形；所述背部電極（5）位于所述矩形下表面，所述鈍化層（4）包裹N+襯底（3）上部分以及臺階面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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