上海華虹宏力半導體制造有限公司李冰寒獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利存儲器結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114927528B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210428897.2，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權存儲器結構及其形成方法是由李冰寒設計研發完成，并于2022-04-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種存儲器結構及其形成方法，其中存儲器結構包括：襯底，所述襯底包括第一區和第二區；位于所述第二區上的浮柵結構、以及位于所述浮柵結構上的擦除柵結構；位于所述襯底內的第一摻雜區；位于第一摻雜區內的源區；位于第一區上的源極多晶硅層，源極多晶硅層與源區相接觸；位于所述第一區上的源極多晶硅層；位于所述第二區內的字線柵溝道區；位于所述第二區上的字線柵結構。由于源區是通過金屬化的源極多晶硅層直接連出，進而可以大幅降低所述源區的寄生電阻。另外，所述字線柵結構的字線柵氧化層的厚度可大幅減小，提高了字線柵層對下方溝道的控制，可有效降低讀操作時的字線電壓，并降低讀串擾的風險以及減小器件尺寸。
本發明授權存儲器結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括第一區、以及位于所述第一區兩側的第二區，且所述第一區與所述第二區鄰接； 位于所述第二區上的浮柵結構、以及位于所述浮柵結構上的擦除柵結構； 位于所述襯底內的第一摻雜區，所述第一摻雜區位于部分所述第二區內，且橫跨所述第一區，所述第一摻雜區內具有第一離子； 位于所述第一摻雜區內的源區，所述源區內具有第二離子，所述第一離子與所述第二離子的電學類型不同； 位于所述第一區上的源極多晶硅層，所述源極多晶硅層與所述源區相接觸； 位于所述第二區內的字線柵溝道區； 位于所述第二區上的字線柵結構，所述字線柵結構位于所述浮柵結構和所述擦除柵結構的一側，所述字線柵結構包括字線柵氧化層、以及位于所述字線柵氧化層上的字線柵層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江高科技園區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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