廣東中科半導體微納制造技術研究院;中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所袁旭獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廣東中科半導體微納制造技術研究院;中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所申請的專利一種p-GaN歐姆接觸電極及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114937593B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210460707.5，技術領域涉及：H01L21/283；該發明授權一種p-GaN歐姆接觸電極及其制備方法與應用是由袁旭;于國浩;王哲明;趙德勝;張寶順設計研發完成，并于2022-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種p-GaN歐姆接觸電極及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種p?GaN歐姆接觸電極的制備方法，包括以下步驟：提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上層為p型GaN層，對所述p型GaN層進行激活處理，得到第一GaN基外延片；在所述第一GaN基外延片的p型GaN層上刻蝕，制備出歐姆接觸區域，得到第二GaN基外延片；利用熱磷酸溶液對所述第二GaN基外延片進行濕法腐蝕處理，清洗后得到第三GaN基外延片；在所述第三GaN基外延片的歐姆接觸區域積淀金屬，并通過退火工藝對金屬進行合金處理，完成p?GaN歐姆接觸電極的制備。本發明能夠明顯提高p?GaN材料的歐姆接觸性能。
本發明授權一種p-GaN歐姆接觸電極及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種p-GaN歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上層為p型GaN層，對所述p型GaN層進行激活處理，得到第一GaN基外延片； 在所述第一GaN基外延片的p型GaN層上刻蝕，制備出歐姆接觸區域，得到第二GaN基外延片； 利用熱磷酸溶液對所述第二GaN基外延片進行濕法腐蝕處理，清洗后得到第三GaN基外延片，在p型GaN表面形成大量的受主型Ga空位，所述Ga空位可以提高界面的凈空穴濃度； 在所述第三GaN基外延片的歐姆接觸區域積淀金屬，并通過退火工藝對金屬進行合金處理，完成p-GaN歐姆接觸電極的制備； 利用熱磷酸溶液進行濕法腐蝕處理過程中，腐蝕時間為2-6h，溶液溫度為60-100℃； 所述退火工藝中的溫度為500-700°C，退火時間為5-15min，退火氛圍為O2單一氣體氛圍或N2和O2的混合氣體氣氛或O2和Ar混合氣體氣氛。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東中科半導體微納制造技術研究院;中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，其通訊地址為：528225 廣東省佛山市南海區獅山鎮科教路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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