廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司;杭州士蘭明芯科技有限公司郭茂峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司;杭州士蘭明芯科技有限公司申請的專利一種發光二極管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114824010B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210470139.7，技術領域涉及：H10H20/816；該發明授權一種發光二極管及其制造方法是由郭茂峰;金全鑫;王思琦;田文;趙進超;李士濤;畢京鋒設計研發完成，并于2022-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種發光二極管及其制造方法在說明書摘要公布了：公開了一種發光二極管及其制造方法，發光二極管包括：外延層，所述外延層包括依次堆疊的第一半導體層、多量子阱層、電子阻擋層以及第二半導體層，所述第一半導體層和所述第二半導體層的摻雜類型彼此相反；多個通孔，位于所述第二半導體層中，貫穿所述第二半導體層并露出所述電子阻擋層的表面；刻蝕阻擋層，位于所述通孔暴露出的所述電子阻擋層的表面；金屬納米層，位于所述通孔中的刻蝕阻擋層的表面；其中，多個所述通孔的底部位于所述刻蝕阻擋層的表面或內部。本發明的發光二極管及其制造方法，在多量子阱層上形成擁有較高刻蝕選擇比的電子阻擋層和第二半導體層，對外延層表面的粗糙度以及厚度均勻性的要求顯著降低。
本發明授權一種發光二極管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管，其特征在于，包括： 外延層，所述外延層包括依次堆疊的第一半導體層、多量子阱層、電子阻擋層以及第二半導體層，所述第一半導體層和所述第二半導體層的摻雜類型彼此相反； 多個通孔，位于所述第二半導體層中，貫穿所述第二半導體層并露出所述電子阻擋層的表面； 刻蝕阻擋層，位于所述通孔暴露出的所述電子阻擋層的表面，所述刻蝕阻擋層為氧化鋁層； 金屬納米層，位于所述通孔中的刻蝕阻擋層的表面； 透明導電層，位于所述第二半導體層的表面，填充所述通孔，并覆蓋所述金屬納米層； 其中，多個所述通孔的底部位于所述刻蝕阻擋層的表面或內部。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司;杭州士蘭明芯科技有限公司，其通訊地址為：361012 福建省廈門市海滄區蘭英路99號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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