華南師范大學尹以安獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華南師范大學申請的專利一種極化結與極化摻雜結構的雙溝道SBD器件與制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115084280B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210722669.6，技術領域涉及：H10D8/60；該發明授權一種極化結與極化摻雜結構的雙溝道SBD器件與制備方法是由尹以安;廖峰波設計研發完成，并于2022-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種極化結與極化摻雜結構的雙溝道SBD器件與制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種極化結與極化摻雜結構的雙溝道SBD器件與制備方法，其包括層疊于基底上由溝道層插入層勢壘層組成的雙溝道結構，位于溝道結構上的極化結，極化結表面設置有歐姆接觸陽極，分別與第一溝道結構的側壁接觸的肖特基接觸陽極和歐姆接觸陰極，肖特基接觸陽極延伸至歐姆接觸陽極表面，第二勢壘層為極化摻雜AlGaN層，其Al組分沿基底指向溝道層的方向上逐漸增大，極化結由極化GaN層和p型極化摻雜AlGaN帽層組成，AlGaN帽層的Al組分沿基底指向溝道層的方向上逐漸減小，該雙溝道SBD器件具備開啟電壓低、導通電阻低和擊穿電壓高的特性，適用于高溫高壓環境下工作。
本發明授權一種極化結與極化摻雜結構的雙溝道SBD器件與制備方法在權利要求書中公布了：1.一種極化結與極化摻雜結構的雙溝道SBD器件，其特征在于，其包括，基底，依次層疊于基底上的緩沖層和第一溝道層，位于第一溝道層上的半導體層疊結構，位于所述半導體層疊結構表面的極化結，位于所述極化結表面的歐姆接觸陽極，分別位于第一溝道層上與半導體層疊結構兩側面接觸的肖特基接觸陽極和歐姆接觸陰極，所述肖特基接觸陽極延伸至所述歐姆接觸陽極的表面； 所述半導體層疊結構由依次層疊于第一溝道層上的第一插入層、第一勢壘層、第二溝道層、第二插入層和第二勢壘層組成，所述第二勢壘層選用極化摻雜AlGaN層，所述極化摻雜AlGaN層的Al組分沿基底指向溝道層的方向上逐漸增大至x，其中0.3≤x≤0.6； 所述極化結由依次層疊的極化GaN層和p型極化摻雜AlGaN帽層組成，所述AlGaN帽層的Al組分沿基底指向溝道層的方向上由y逐漸減小，其中0.3≤y≤0.6。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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