弘大芯源(深圳)半導體有限公司;晉芯電子制造(山西)有限公司;晉芯先進技術研究院(山西)有限公司洪學天獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉弘大芯源(深圳)半導體有限公司;晉芯電子制造(山西)有限公司;晉芯先進技術研究院(山西)有限公司申請的專利一種生產具有吸氣劑半導體結構的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115241059B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210781569.0，技術領域涉及：H01L21/316；該發明授權一種生產具有吸氣劑半導體結構的方法是由洪學天;趙大國;林和;王堯林;牛崇實;黃宏嘉;陳宏設計研發完成，并于2022-07-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種生產具有吸氣劑半導體結構的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種用吸氣劑制造半導體結構的方法，屬于半導體技術領域。該方法包括以下步驟：S01，在氧化氣氛中進行退火；S02，在惰性氣氛中進行兩階段退火。本發明的主要優點在于，氧缺陷吸附效率高，工藝過程簡單，成本低。本發明所采用的方法不僅可以用于降低硅基的半導體器件與集成電路的氧缺陷含量，也可以推廣應用于減低化合物半導體功率器件與集成電路的襯底的微缺陷含量。
本發明授權一種生產具有吸氣劑半導體結構的方法在權利要求書中公布了：1.一種用吸氣劑制造半導體結構的方法，其特征在于，包括以下步驟： S01，襯底在氧化氣氛中進行退火； S02，襯底在惰性氣氛中進行兩階段退火； S01中，在氧化氣氛中于1120-1250℃進行2-3小時（h）的退火； S02中，所述兩階段退火包括先在1000-1050℃退火9-11小時（h）或1020-1080℃退火3-6小時（h），后在425-455℃退火1-7小時（h）； S02中，所述兩階段退火的溫度和持續時間取決于襯底在氧化環境中退火后微小缺陷的密度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人弘大芯源(深圳)半導體有限公司;晉芯電子制造(山西)有限公司;晉芯先進技術研究院(山西)有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市寶安區航城街道三圍社區航城大道159號航城創新創業園A3棟201；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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