京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司栗峰獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司申請的專利顯示基板及其制作方法、顯示裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115274702B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202210903686.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D86/60;該發(fā)明授權(quán)顯示基板及其制作方法、顯示裝置是由栗峰;閆巖;馬禹;王靜設(shè)計研發(fā)完成,并于2022-07-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本顯示基板及其制作方法、顯示裝置在說明書摘要公布了:提供了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。該顯示基板包括襯底,以及位于襯底一側(cè)且沿遠(yuǎn)離襯底的方向依次層疊的像素電極、層間膜層、源漏金屬層、鈍化層和公共電極。其中,層間膜層具有暴露像素電極的過孔,源漏金屬層可以通過該過孔與像素電極直接搭接。相應(yīng)的可知,過孔在襯底上的正投影可以位于像素電極在襯底上的正投影內(nèi),且可以被源漏金屬層所覆蓋。如此,在確保源漏金屬層與像素電極搭接可靠搭接的基礎(chǔ)上,可以確保顯示基板的開口率較大,進(jìn)而可以確保顯示基板的透過率較好。
本發(fā)明授權(quán)顯示基板及其制作方法、顯示裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括: 襯底,所述襯底包括晶體管區(qū)和顯示區(qū); 位于所述襯底一側(cè)的像素電極,所述像素電極位于所述顯示區(qū); 位于所述像素電極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的層間膜層,所述層間膜層具有暴露所述像素電極的過孔,且所述過孔在所述襯底上的正投影位于所述像素電極在所述襯底上的正投影內(nèi); 位于所述層間膜層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的源漏金屬層,所述源漏金屬層在所述襯底上的正投影位于所述像素電極在所述襯底上的正投影內(nèi),并覆蓋所述過孔在所述襯底上的正投影,且所述源漏金屬層通過所述過孔與所述像素電極搭接; 以及,位于所述源漏金屬層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè),且沿遠(yuǎn)離所述襯底的方向依次層疊的鈍化層和公共電極; 其中,所述層間膜層包括:位于所述像素電極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè),且沿遠(yuǎn)離所述襯底的方向依次層疊的柵絕緣層和有源層,所述有源層具有位于同層,且間隔排布的第一部分和第二部分;所述第一部分和所述柵絕緣層具有暴露所述像素電極的過孔; 其中,所述柵絕緣層在所述襯底上的正投影覆蓋所述像素電極在所述襯底上的正投影;所述有源層中,具有所述過孔的第一部分在所述襯底上的正投影位于所述像素電極在所述襯底上的正投影內(nèi),除所述第一部分之外的第二部分在所述襯底上的正投影與所述像素電極在所述襯底上的正投影不交疊,所述第一部分位于所述顯示區(qū),所述第二部分位于所述晶體管區(qū),所述源漏金屬層中的部分位于所述顯示區(qū),部分位于所述晶體管區(qū),且所述源漏金屬層中位于所述顯示區(qū)的部分與所述像素電極搭接,位于所述晶體管區(qū)的部分與所述第二部分搭接。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司,其通訊地址為:100015 北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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