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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院微電子研究所申請的專利一種半導(dǎo)體器件的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116110792B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211699611.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件的制造方法是由李永亮;趙飛設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體器件的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于降低偶極子閾值調(diào)控技術(shù)的退火熱預(yù)案，確保半導(dǎo)體器件具有良好的工作性能。所述半導(dǎo)體器件的制造方法包括：提供一半導(dǎo)體基底。半導(dǎo)體基底具有的每類區(qū)域上均形成有相應(yīng)環(huán)柵晶體管包括的溝道、以及環(huán)繞在溝道外周的第一柵介質(zhì)子層。在位于至少部分類區(qū)域上的第一柵介質(zhì)子層上形成相應(yīng)厚度和相應(yīng)材料的偶極子層。對形成有偶極子層的半導(dǎo)體基底進行退火處理，以使得不同類區(qū)域?qū)?yīng)不同的閾值調(diào)控參數(shù)；并去除偶極子層。在位于每類區(qū)域上的第一柵介質(zhì)子層上均依次形成相應(yīng)環(huán)柵晶體管包括的第二柵介質(zhì)子層和柵極。每一環(huán)柵晶體管包括的柵介質(zhì)層包括第一柵介質(zhì)子層和第二柵介質(zhì)子層。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一半導(dǎo)體基底；沿平行于半導(dǎo)體基底表面的方向，所述半導(dǎo)體基底具有至少兩類區(qū)域；每類所述區(qū)域上均形成有相應(yīng)環(huán)柵晶體管包括的溝道、以及環(huán)繞在所述溝道外周的第一柵介質(zhì)子層； 在位于至少部分類所述區(qū)域上的所述第一柵介質(zhì)子層上形成相應(yīng)厚度和相應(yīng)材料的偶極子層； 對形成有所述偶極子層的所述半導(dǎo)體基底進行退火處理，以使得不同類所述區(qū)域?qū)?yīng)不同的閾值調(diào)控參數(shù)；并去除所述偶極子層； 在位于每類所述區(qū)域上的所述第一柵介質(zhì)子層上均依次形成相應(yīng)所述環(huán)柵晶體管包括的第二柵介質(zhì)子層和柵極；每一所述環(huán)柵晶體管包括的柵介質(zhì)層包括位于相應(yīng)類所述區(qū)域上的所述第一柵介質(zhì)子層和所述第二柵介質(zhì)子層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。