三星電子株式會社金旻奎獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利形成垂直場效應晶體管器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111916352B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010380974.2，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權形成垂直場效應晶體管器件的方法是由金旻奎;洪思煥設計研發完成，并于2020-05-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本形成垂直場效應晶體管器件的方法在說明書摘要公布了：提供了形成垂直場效應晶體管器件的方法。該方法可以包括在基底上形成第一溝道區和第二溝道區，在基底以及第一溝道區和第二溝道區上形成襯墊，通過去除襯墊的一部分和基底的一部分，在第一溝道區和第二溝道區之間的基底中形成凹部，在基底的凹部中形成底部源極漏極區，在底部源極漏極區上形成封蓋層，去除襯墊和封蓋層，在基底和底部源極漏極區上形成間隔物，以及在第一溝道區和第二溝道區的側表面上形成柵極結構。
本發明授權形成垂直場效應晶體管器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種形成垂直場效應晶體管器件的方法，所述方法包括： 在基底上形成第一溝道區和第二溝道區，其中所述第一溝道區和所述第二溝道區從所述基底突出； 在所述基底以及所述第一溝道區和所述第二溝道區上形成襯墊； 通過去除所述襯墊的一部分和所述基底的一部分，在所述第一溝道區和所述第二溝道區之間的基底中形成凹部； 在所述基底的所述凹部中形成底部源極漏極區； 在所述底部源極漏極區上形成封蓋層； 去除所述襯墊和所述封蓋層； 在所述基底和所述底部源極漏極區上形成間隔物；以及 在所述第一溝道區和所述第二溝道區的側表面上形成柵極結構， 其中所述間隔物在所述柵極結構和所述基底之間延伸，并且 其中，所述封蓋層包括未摻雜的半導體層或摻雜的半導體層，所述摻雜的半導體層的摻雜濃度小于所述底部源極漏極區的摻雜濃度的15％。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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