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          中科芯集成電路有限公司王雪原獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉中科芯集成電路有限公司申請的專利一種數碼管恒流源驅動控制系統獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116229857B 。

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211704947.1,技術領域涉及:G09G3/14;該發明授權一種數碼管恒流源驅動控制系統是由王雪原;范學仕;李彬;黃東設計研發完成,并于2022-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。

          一種數碼管恒流源驅動控制系統在說明書摘要公布了:本發明公開一種數碼管恒流源驅動控制系統,屬于LED控制領域偏置,包括電流源產生模塊、輸出驅動模塊和段位控制模塊。所述偏置電流源產生模塊產生供后續段驅動恒流源使用的鏡像偏置恒流源;所述輸出驅動模塊以偏置恒流源作為偏置基準,產生段恒流源驅動,并在此段恒流源驅動開啟和關斷時,實現段電流限制的控制;另外,當段恒流源驅動關斷時,根據段位控制信號產生一個位掃開關驅動;所述段位控制模塊當寫入顯示數據時,基于相關指令控制和時鐘輸入,輸出位掃和段顯示控制信號,寫入輸出驅動模塊,實現段位復用控制。本發明能夠實現用于數碼管顯示驅動恒流源的高穩定性和高精度,并節省數碼管顯示的成本和功耗。

          本發明授權一種數碼管恒流源驅動控制系統在權利要求書中公布了:1.一種數碼管恒流源驅動控制系統,其特征在于,包括: 偏置電流源產生模塊,包括基準電壓產生電路和電流控制電路,產生供后續段驅動恒流源使用的鏡像偏置恒流源; 輸出驅動模塊包括段恒流源反饋控制電路、段電流擺率限制電路、位掃描開關控制電路和段位控制反饋電路,以所述偏置恒流源作為偏置基準,產生段恒流源驅動,并在此段恒流源驅動開啟和關斷時,實現段電流限制的控制;另外,當段恒流源驅動關斷時,根據段位控制信號產生一個位掃開關驅動; 段位控制模塊,包括位掃和段顯示電路,當寫入顯示數據時,基于相關指令控制和時鐘輸入,輸出位掃和段顯示控制信號,寫入所述輸出驅動模塊,實現段位復用控制; 所述段恒流源反饋控制電路包括PMOS管MP1~MP10和NMOS管MN2~MN13;PMOS管MP9和MP10與所述偏置電流源產生模塊連接,以其產生的偏置電流源I2和I3作為電流基準,且I3=2*I2; 偏置電流源I3由PMOS管MP10控制,使能信號是所述位掃和段顯示電路的輸出信號ENN_B,當ENN_B為低電平,I3被NMOS管MN5,MN6和NMOS管MN9,MN10分流,電流分別為IN1,IN2;偏置電流源I2由PMOS管MP9控制,使能信號是所述位掃和段顯示電路的輸出信號ENN_B,當ENN_B為低電平,I2被NMOS管MN3,MN4和NMOS管MN7,MN8分流,電流分別為IN3,IN4; NMOS管MN12,MN13與NMOS管MN9,MN10形成1:1的鏡像電流鏡,NMOS管MN12,MN13的支路電流則為IN2;而PMOS管MP4和PMOS管MP3形成一組1:1的鏡像支路,PMOS管MP3所在支路電流與PMOS管MP4支路相等,也為IN2,即IN3=IN2;NMOS管MN5,MN6與NMOS管MN3,MN4形成1:1的鏡像電流鏡,IN1=IN2,那么IN2=12*I3=I2;利用NMOS管MN9,MN12,PMOS管MP4,MP3和NMOS管MN4形成一個負反饋通路,形成精準的電流控制; PMOS管MP2支路連接所述段電流擺率限制電路,所述段電流擺率限制電路與NMOS管MN9,MN10支路形成電流鏡,電流為6*IN2,PMOS管MP2支路電流為6*IN2;PMOS管MP2支路與PMOS管MP1支路形成1:N倍的電流鏡,PMOS管MP1為段恒流源的驅動管,段恒流源的電流為6N*IN2;PMOS管MP5與PMOS管MP6形成一個1:M的電流鏡,NMOS管MN2與NMOS管MN3也形成一個1:M的電流鏡,所以PMOS管MP5與NMOS管MN2形成一個nA級別的微小電流支路,此支路電流為IN=1M*IN2,此微小電流支路為輸出電壓檢測支路; 當在正常段顯示時,從PMOS管MP1的漏端和PMOS管MP5的源端引出的輸出引腳OUT電連接外部顯示器件,在段位切換時,輸出電壓VOUT會發生波動,當PMOS管MP1的壓差不夠時,會影響恒流源特性,使輸出電流急劇下降,此時該支路通過PMOS管MP5檢測輸出電壓,通過PMOS管MP5,MP6,NMOS管MN2,MN3,MN4和PMOS管MP6形成的反饋環路將輸出電壓反饋到PMOS管MP3的漏端,使PMOS管MP3作為輸出恒流源驅動晶體管的感應管,此時PMOS管MP3支路的電流變小,而NMOS管MN5,MN6支路的電流IN1變小,那么IN2會變大,PMOS管MP2的柵極電壓相應減小,使輸出電流不會瞬間變?。淮藭rPMOS管MP4的柵壓相應降低,通過NMOS管MN9,MN12,PMOS管MP4,MP3和NMOS管MN4形成的負反饋環路維持PMOS管MP3支路的電流相對穩定,使電流IN2保持不變; 所述段電流擺率限制電路包括NMOS管MN14~MN31; 所述段電流擺率限制電路連接段恒流源反饋控制電路中的電流支路IN2,NMOS管MN14與MN15形成第一段電流支路,與電流支路IN2中的NMOS管MN9和MN10形成比例為1:1的共源共柵電流鏡,此支路通斷由NMOS管MN26控制,其使能信號為所述段位控制反饋電路的輸出信號SEG_EN0;NMOS管MN16與MN17形成第二段電流支路,NMOS管MN18與MN19形成第三段電流支路,NMOS管MN20與MN21形成第四段電流支路,NMOS管MN22與MN23形成第五段電流支路,NMOS管MN24與MN25形成第六段電流支路,都分別與電流支路IN2中的NMOS管MN9和MN10形成1:1的鏡像比例;第二段、第三段、第四段、第五段和第六段電流支路的通斷分別由NMOS管MN27、MN28、MN29、MN30和MN31控制,其使能信號分別為段位控制反饋電路的輸出信號SEG_EN1、SEG_EN2、SEG_EN3、SEG_EN4和SEG_EN5;這六段電流支路電連接一起形成一個6*IN2的電流沉,與所述段恒流源反饋控制電路中的PMOS管MP2連接,作為輸出段恒流源的鏡像電流; 當段掃描信號EN_SEG有效時,使能信號SEG_EN0會首先變為高電平,開啟第一段電流沉支路,而后偏置電流源控制信號ENN_B和ENP_B分別變為低電平和高電平,選通段恒流源反饋控制電路,形成鏡像通路,輸出產生一個N*IN2的段恒流源;控制信號SEG_EN0串行通過五個相同的延遲單元,分別形成控制信號SEG_EN1、SEG_EN2、SEG_EN3、SEG_EN4和SEG_EN5,在每個相同時間間隔后,控制信號SEG_EN1~SEG_EN5依次變為高電平,五組電流沉支路依次開啟,輸出電流以N*IN2為步進增大,直到變為設定值6N*IN2,此時電流上升的時間為5個時間單元;同樣的,在段關閉時,控制信號SEG_EN0、SEG_EN1、SEG_EN2、SEG_EN3、SEG_EN4、SEG_EN5首先依次關斷對應開關管,最后偏置電流源控制信號ENN_B和ENP_B關斷段恒流源反饋控制電路,使輸出恒流源以N*IN2的步進減小到0。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人中科芯集成電路有限公司,其通訊地址為:214000 江蘇省無錫市濱湖區蠡園開發區04-6地塊(滴翠路100號)9幢2層;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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