中山大學(xué)何堅(jiān)獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中山大學(xué)申請(qǐng)的專利一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電鈍化接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN117558831B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202311574270.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10F71/00;該發(fā)明授權(quán)一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電鈍化接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法是由何堅(jiān);鐘卓彤;蔡海懷;高平奇設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2023-11-23向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電鈍化接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本發(fā)明公開(kāi)了一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電鈍化接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述制備方法,包括以下步驟:對(duì)n型硅片進(jìn)行制絨,然后進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗;清洗后的n型硅片一側(cè)制備隧穿鈍化層;所述隧穿鈍化層取自氧化硅、氧化鋁、氧化鈦中的一種或疊層;在隧穿鈍化層表面制備電子傳輸層;所述電子傳輸層取自摻鋁氧化鋅、摻硼氧化鋅、摻氫氧化鋅的一種或疊層;在電子傳輸層表面制備犧牲層;所述犧牲層取自氧化鋁、氮化硅的一種或疊層;退火后犧牲層通過(guò)刻蝕去除,得到所述結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中,含氫犧牲層的氫向界面擴(kuò)散,補(bǔ)償鈍化層缺陷及硅表面懸掛鍵,提高該接觸化學(xué)鈍化效果。同時(shí),電子傳輸層實(shí)現(xiàn)提供載流子選擇性傳輸和提高場(chǎng)效應(yīng)鈍化效果。
本發(fā)明授權(quán)一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電鈍化接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: 1對(duì)n型硅片進(jìn)行制絨,然后進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗; 2清洗后的n型硅片一側(cè)制備隧穿鈍化層;所述隧穿鈍化層取自氧化硅、氧化鋁、氧化鈦中的一種或疊層; 3在隧穿鈍化層表面制備電子傳輸層;所述電子傳輸層取自摻鋁氧化鋅、摻硼氧化鋅、摻氫氧化鋅的一種或疊層; 4在電子傳輸層表面制備犧牲層;所述犧牲層取自氧化鋁、氮化硅的一種或疊層; 5將步驟4得到的結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火,退火后犧牲層通過(guò)刻蝕去除,得到所述硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電鈍化接觸結(jié)構(gòu)。
如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人中山大學(xué),其通訊地址為:510000 廣東省廣州市海珠區(qū)新港西路135號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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