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龍圖騰網獲悉廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院申請的專利銦鎵砷晶圓及其制造方法、射頻陣列芯片及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117766461B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311805308.9，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權銦鎵砷晶圓及其制造方法、射頻陣列芯片及其制造方法是由亨利·H·阿達姆松;苗淵浩設計研發完成，并于2023-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本銦鎵砷晶圓及其制造方法、射頻陣列芯片及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種銦鎵砷晶圓及其制造方法，一種射頻陣列芯片及其制造方法，方法包括：形成施主襯底，施主襯底包括依次層疊的第一襯底、吸收層、第一摻雜層和鍵合層，吸收層的材料為銦鎵砷，第一摻雜層的材料為銦鎵砷或磷化銦，第一襯底至少包括目標層，目標層的材料為磷化銦。形成受主襯底，受主襯底包括依次層疊的第一硅襯底、富陷阱層和絕緣層，富陷阱層為四族元素構成的非晶材料。以鍵合層朝向絕緣層的方向鍵合施主襯底和受主襯底，去除部分厚度的第一襯底，保留目標層，對目標層進行摻雜，得到第二摻雜層，形成銦鎵砷晶圓。富陷阱層可以捕獲游離的寄生電荷，降低寄生電容，從而提高利用銦鎵砷晶圓制造得到的射頻陣列芯片的性能。

本發明授權銦鎵砷晶圓及其制造方法、射頻陣列芯片及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種銦鎵砷晶圓的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 形成施主襯底，所述施主襯底包括依次層疊的第一襯底、吸收層、第一摻雜層和鍵合層，所述吸收層的材料至少包括銦鎵砷，所述第一摻雜層的摻雜類型為第一摻雜類型或第二摻雜類型，所述第一摻雜類型為P型摻雜和N型摻雜中的其中一個，所述第二摻雜類型為P型摻雜和N型摻雜中的另一個，所述第一摻雜層的材料為銦鎵砷或磷化銦，所述第一襯底至少包括目標層，所述目標層的材料為磷化銦； 形成受主襯底，所述受主襯底包括依次層疊的第一硅襯底、富陷阱層和絕緣層，所述富陷阱層為四族元素構成的非晶材料； 以所述鍵合層朝向所述絕緣層的方向鍵合所述施主襯底和所述受主襯底； 去除部分厚度的所述第一襯底，保留所述目標層； 對所述目標層進行摻雜，得到第二摻雜層，所述第二摻雜層的摻雜類型和所述第一摻雜層的摻雜類型不同； 所述富陷阱層的材料為非晶硅錫、非晶鍺和非晶鍺錫中的一種或多種； 所述第一襯底包括依次層疊的第二硅襯底、第一緩沖層、第二緩沖層、第三緩沖層以及所述目標層，所述第一緩沖層的材料為鍺，所述第二緩沖層的材料為砷化鎵，所述第三緩沖層的材料為磷化銦，所述第二硅襯底為斜切硅襯底； 所述鍵合層和所述絕緣層構成分布式布拉格反射鏡，所述分布式布拉格反射鏡包括依次層疊的氧化硅層、利用正硅酸乙酯TEOS形成的氧化硅層和氧化鋁層，或所述分布式布拉格反射鏡包括層疊的氧化硅層和多晶硅層，或所述分布式布拉格反射鏡包括依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層，或所述分布式布拉格反射鏡包括層疊的氧化硅層和硅層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院，其通訊地址為：510535 廣東省廣州市廣州開發區開源大道136號A棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。