拓荊創益(沈陽)半導體設備有限公司高級獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉拓荊創益(沈陽)半導體設備有限公司申請的專利薄膜沉積設備、薄膜沉積方法及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118639215B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311809957.6，技術領域涉及：C23C16/455；該發明授權薄膜沉積設備、薄膜沉積方法及存儲介質是由高級;宋宇;魏佳楠設計研發完成，并于2023-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本薄膜沉積設備、薄膜沉積方法及存儲介質在說明書摘要公布了：本發明提供了薄膜沉積設備、薄膜沉積方法及計算機可讀存儲介質。所述薄膜沉積設備包括工藝腔室、工藝氣源、抽氣機構及補氣模塊。所述工藝腔室用于容納待加工的晶圓，并對其進行薄膜沉積工藝。所述工藝氣源用于向所述工藝腔室提供工藝氣體，并響應于一警報信號而關閉。所述抽氣機構包括真空泵及節流閥。所述真空泵經由所述節流閥連接設于所述工藝腔室的抽氣口。所述節流閥響應于所述警報信號而先在其關斷延遲時間內逐漸關閉，再根據預設的工藝終止曲線逐漸開啟，以控制所述工藝腔室中的氣壓按所述工藝終止曲線下降到結束所述薄膜沉積工藝的終點氣壓。所述補氣模塊響應于所述警報信號而在所述節流閥的關斷延遲時間內向所述工藝腔室提供補充氣體。
本發明授權薄膜沉積設備、薄膜沉積方法及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種薄膜沉積設備，其特征在于，包括： 工藝腔室，用于容納待加工的晶圓，并對其進行薄膜沉積工藝； 工藝氣源，用于向所述工藝腔室提供工藝氣體，并響應于一警報信號而關閉； 抽氣機構，包括真空泵及節流閥，其中，所述真空泵經由所述節流閥連接設于所述工藝腔室的抽氣口，所述節流閥響應于所述警報信號而先在其關斷延遲時間內逐漸關閉，再根據預設的工藝終止曲線逐漸開啟，以控制所述工藝腔室中的氣壓按所述工藝終止曲線下降到結束所述薄膜沉積工藝的終點氣壓；以及 補氣模塊，響應于所述警報信號而在所述節流閥的關斷延遲時間內向所述工藝腔室提供補充氣體。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人拓荊創益(沈陽)半導體設備有限公司，其通訊地址為：110171 遼寧省沈陽市渾南區水家900號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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