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          景德鎮陶瓷大學沈宗洋獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉景德鎮陶瓷大學申請的專利一種K/Sr/La/Cu/Sb/W摻雜型CaBi2Nb2O9高溫壓電陶瓷材料及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN118978396B 。

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202410975828.2,技術領域涉及:C04B35/453;該發明授權一種K/Sr/La/Cu/Sb/W摻雜型CaBi2Nb2O9高溫壓電陶瓷材料及其制備方法是由沈宗洋;張智鵬;王竹梅;曾濤;駱雯琴設計研發完成,并于2024-07-19向國家知識產權局提交的專利申請。

          一種K/Sr/La/Cu/Sb/W摻雜型CaBi2Nb2O9高溫壓電陶瓷材料及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種KSrLaCuSbW摻雜型CaBi2Nb2O9高溫壓電陶瓷材料及其制備方法,針對CaBi2Nb2O9陶瓷材料A位的Ca2+離子,采用具有12配位的K+、Sr2+、La3+組成復合高價離子[K0.15Sr0.3La0.65]2.7+進行摻雜取代,針對B位的Nb5+離子,采用具有6配位的Cu2+、Sb5+、W6+組成復合高價離子[Cu0.1Sb0.25W0.65]5.35+進行摻雜取代,通過上述復合摻雜改性,在保持高居里溫度的同時,提高了其壓電性能和高溫電阻率,從而提供了一種新型的、綜合電性能優良的、環境友好型壓電陶瓷材料,該材料具有良好的高溫穩定性,在高溫領域具有廣闊的應用前景。本發明制備方法采用先進的陶瓷制備工藝,燒成溫度低,制備成本低,工藝簡單易操作,影響因素易控制,適合于大批量工業化生產,有助于推廣和應用。

          本發明授權一種K/Sr/La/Cu/Sb/W摻雜型CaBi2Nb2O9高溫壓電陶瓷材料及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種KSrLaCuSbW摻雜型CaBi2Nb2O9高溫壓電陶瓷材料的制備方法,其特征在于:所述高溫壓電陶瓷材料為,以具有12配位的K+、Sr2+、La3+組成的復合高價離子[K0.15Sr0.3La0.65]2.7+摻雜取代CaBi2Nb2O9中A位的Ca2+離子,以具有6配位的Cu2+、Sb5+、W6+組成的復合高價離子[Cu0.1Sb0.25W0.65]5.35+摻雜取代CaBi2Nb2O9中B位的Nb5+離子,形成的化學通式為Ca1-x[K0.15Sr0.3La0.65]xBi2Nb2-y[Cu0.1Sb0.25W0.65]yO9,其中0.01≤x≤0.06,0.02≤y≤0.05;制備方法包括以下步驟: 1預合成前驅體粉料的制備 以CaCO3、K2CO3、SrCO3、La2O3、Bi2O3、Nb2O5、CuO、Sb2O3、WO3作為與所述化學通式中Ca、K、Sr、La、Bi、Nb、Cu、Sb、W對應的原料;將各原料按照化學通式中的化學計量進行配料,然后以無水乙醇為球磨介質進行一次球磨處理,得到的物料經烘干、過篩、壓制成型后置于密封的坩堝內進行煅燒處理;然后將煅燒處理后的物料經研磨、過篩后,進行二次球磨處理,得到的物料經烘干、研磨、過篩,即制得預合成前驅體粉料;其中,所述壓制成型的壓力為4~6Mpa,煅燒處理為以5℃min升溫至830~880℃,保溫3~5h; 2高溫壓電陶瓷材料的制備 將所述預合成前驅體粉料裝入石墨模具中,置于放電等離子燒結爐內進行一次煅燒處理,即放電等離子燒結爐壓力為40~45MPa、直流脈沖電流為600~650A,先以100℃min升溫至900℃,再以20℃min升溫至950~1000℃,保溫5~6min后,以50℃min的降溫速率降至600℃,停止直流脈沖電流,然后釋放壓力,隨爐冷卻至室溫,得到含碳燒制品;然后將所述含碳燒制品置于普通高溫爐內在空氣氣氛下進行二次煅燒處理以進行脫碳,即以5℃min升至700~750℃,保溫4~4.5h,隨爐冷卻至室溫,得到脫碳燒制品;最后將所述脫碳燒制品進行極化處理,即制得高溫壓電陶瓷材料。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人景德鎮陶瓷大學,其通訊地址為:333403 江西省景德鎮市浮梁縣湘湖鎮景德鎮陶瓷大學;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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