江西兆馳半導體有限公司劉春楊獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118782703B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410997528.4，技術領域涉及：H10H20/816；該發明授權一種發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管是由劉春楊;胡加輝;金從龍;顧偉設計研發完成，并于2024-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管在說明書摘要公布了：本發明公開了一種發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管，涉及半導體技術領域，該發光二極管外延片包括襯底，還包括：依次層疊于所述襯底之上的AlN層、緩沖層、三維GaN層、未摻雜GaN層、N型半導體層、應力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層、P型半導體層；在所述應力釋放層與所述多量子阱層之間插入復合插入層，所述復合插入層包括周期性交替層疊設置的AlxGa1?xN層、InyGa1?yN層以及P型摻雜GaN層，其中，x的取值范圍為0?1，y的取值范圍為0?1，本發明能夠解決現有技術中傳統的LED芯片在熱態下發光效率低下的技術問題。
本發明授權一種發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管外延片，包括襯底，其特征在于，所述發光二極管外延片還包括： 依次層疊于所述襯底之上的AlN層、緩沖層、三維GaN層、未摻雜GaN層、N型半導體層、應力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層、P型半導體層； 在所述應力釋放層與所述多量子阱層之間插入復合插入層，所述復合插入層包括周期性交替層疊設置的AlxGa（1-x）N層、InyGa（1-y）N層以及P型摻雜GaN層，其中，x的取值范圍為0-1，y的取值范圍為0-1，所述P型摻雜GaN層的摻雜劑為Mg，摻雜濃度為1×1018cm-3-1×1019cm-3，所述P型摻雜GaN層的厚度為1nm-10nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號