中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司趙猛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113140460B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010068505.7，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法是由趙猛設計研發完成，并于2020-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及半導體結構的形成方法，方法包括：提供襯底；在所述襯底內形成漂移區和體區，漂移區和體區相鄰，漂移區內具有第一離子，所述體區具有第二離子，所述第一離子和第二離子的導電類型相反；在襯底上形成柵極結構，柵極結構位于漂移區和體區表面，且柵極結構從漂移區表面延伸到體區表面；在漂移區表面形成屏蔽摻雜層，所述屏蔽摻雜層與所述柵極結構相鄰；在漂移區內形成漏區，漏區與屏蔽摻雜層相鄰，漏區與漂移區的第一離子導電類型相同。所述方法形成的半導體結構性能得到了提升。
本發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 在所述襯底內形成漂移區和體區，所述漂移區和體區相鄰，所述漂移區內具有第一離子，所述體區具有第二離子，所述第一離子和第二離子的導電類型相反； 在襯底上形成柵極結構，所述柵極結構位于所述漂移區和體區表面，且所述柵極結構從漂移區表面延伸到所述體區表面； 在漂移區表面形成屏蔽摻雜層，所述屏蔽摻雜層內具有第三離子，所述第三離子用于消除漂移區表面的感應電荷，所述屏蔽摻雜層與所述柵極結構相鄰，所述屏蔽摻雜層頂部平面低于或齊平于所述漂移區頂部平面； 在襯底上、屏蔽摻雜層表面和所述柵極結構的部分側壁表面和頂部表面形成阻擋層； 在漂移區內形成漏區，所述漏區與所述屏蔽摻雜層相鄰，所述漏區與所述漂移區的第一離子導電類型相同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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