上海大學(xué)肖悅娛獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海大學(xué)申請的專利一種高雙折射保偏單模空芯反諧振光纖獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119644501B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510118017.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G02B6/02;該發(fā)明授權(quán)一種高雙折射保偏單模空芯反諧振光纖是由肖悅娛;承家耀設(shè)計研發(fā)完成,并于2025-01-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種高雙折射保偏單模空芯反諧振光纖在說明書摘要公布了:一種高雙折射保偏單模空芯反諧振光纖,包括光纖外包層和空氣纖芯,沿慢軸方向設(shè)有第一封閉腔和第二封閉腔,沿快軸方向設(shè)有第三封閉腔和第四封閉腔,各封閉腔的徑向截面為直徑Ds扇形,且第一封閉腔和第二封閉腔之間間距、以及第三封閉腔和第四封閉腔之間間距Dc;第一封閉腔和第四封閉腔中間層管壁的徑向截面為直徑Das1的扇形,第二封閉腔和第三封閉腔中間層管壁的徑向截面為直徑Das2的扇形,且Das1≠Das2。本發(fā)明通過雙厚度混合二氧化硅硅管壁設(shè)計,使光纖具有保持偏振態(tài)的高雙折射;同時通過嵌套非二重旋轉(zhuǎn)對稱嵌套結(jié)構(gòu),大大降低了兩個偏振基模損耗,并抑制了高階模的傳輸,實現(xiàn)了寬帶范圍內(nèi)的單模傳輸。
本發(fā)明授權(quán)一種高雙折射保偏單模空芯反諧振光纖在權(quán)利要求書中公布了:1.一種高雙折射保偏單模空芯反諧振光纖,包括光纖外包層和空氣纖芯,其特征在于:在于所述光纖外包層和空氣纖芯之間,沿慢軸方向設(shè)有第一封閉腔和第二封閉腔,沿快軸方向設(shè)有第三封閉腔和第四封閉腔,各封閉腔的徑向截面為直徑Ds的扇形,且所述第一封閉腔和第二封閉腔之間間距、以及第三封閉腔和第四封閉腔之間間距均為Dc; 所述每個封閉腔由外至內(nèi)均包括最外層管壁、中間層管壁和最內(nèi)層管壁,所述最外層管壁材料為二氧化硅和硅混合,所述中間層管壁材料為二氧化硅,所述最內(nèi)層管壁材料為二氧化硅; 所述第一封閉腔和第二封閉腔的最外層管壁的厚度均為t1+t3,該最外層管壁到光纖外包層的距離為S1,所述第三封閉腔和第四封閉腔的最外層管壁的厚度均為t2+t3,該最外層管壁到光纖外包層的距離為S2,其中,t1為所述第一封閉腔和第二封閉腔的最外層管壁中二氧化硅管壁的厚度,t2為所述第三封閉腔和第四封閉腔的最外層管壁中二氧化硅管壁的厚度,t3為最外層管壁中硅管的厚度,且t1≠t2; 所述第一封閉腔、第二封閉腔、第三封閉腔和第四封閉腔的中間層管壁的厚度均為t4,所述第一封閉腔和第四封閉腔中間層管壁的徑向截面為直徑Das1的扇形,所述第二封閉腔和第三封閉腔中間層管壁的徑向截面為直徑Das2的扇形,且Das1≠Das2; 所述第一封閉腔、第二封閉腔、第三封閉腔和第四封閉腔的最內(nèi)層管壁的的厚度均為t4,且該最內(nèi)層管壁的徑向截面為直徑Dac的圓。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人上海大學(xué),其通訊地址為:200444 上海市寶山區(qū)上大路99號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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