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龍圖騰網獲悉中科(深圳)無線半導體有限公司申請的專利一種PHEMT器件外延結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120152333B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510620688.1，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種PHEMT器件外延結構及其制備方法是由麻勝恒;汪連山;吳義針;孫文紅;陳福鑫設計研發完成，并于2025-05-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種PHEMT器件外延結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種PHEMT器件外延結構及其制備方法，屬于半導體技術領域，包括：依次疊層設置的InP襯底、GaAs緩沖層、InGaAs贗晶層、n摻雜AlGaAs勢壘層和帽層；GaAs緩沖層和n摻雜AlGaAs勢壘層分別在InGaAs贗晶層中形成有用于提供2DEG的第一導電通道和第二導電通道；InGaAs贗晶層的In組分含量為使得InGaAs贗晶層晶格應變力和值小于異質結的晶格失配應力；在InGaAs贗晶層的In組分含量的約束下，InGaAs贗晶層的厚度為使得第一導電通道和第二導電通道重疊的目標厚度，其中，目標厚度用于增強2DEG的濃度。提升器件質量和性能。

本發明授權一種PHEMT器件外延結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種PHEMT器件外延結構，其特征在于，包括：InP襯底、GaAs緩沖層、InGaAs贗晶層、n摻雜AlGaAs勢壘層和帽層； 所述InP襯底、所述GaAs緩沖層、所述InGaAs贗晶層、所述n摻雜AlGaAs勢壘層和所述帽層依次疊層設置； 所述GaAs緩沖層和所述n摻雜AlGaAs勢壘層分別在所述InGaAs贗晶層中形成有用于提供2DEG的第一導電通道和第二導電通道； 所述InGaAs贗晶層的In組分含量為使得InGaAs贗晶層晶格應變力和值小于異質結的晶格失配應力，其中，所述晶格應變力和值包括所述GaAs緩沖層與所述InGaAs贗晶層之間的第一晶格失配應力以及所述InGaAs贗晶層與所述n摻雜AlGaAs勢壘層之間的第二晶格失配應力，所述異質結包括由所述GaAs緩沖層與所述InGaAs贗晶層形成的第一異質結以及由所述InGaAs贗晶層與所述n摻雜AlGaAs勢壘層形成的第二異質結； 在所述InGaAs贗晶層的In組分含量的約束下，所述InGaAs贗晶層的厚度為使得所述第一導電通道和所述第二導電通道重疊的目標厚度，其中，所述目標厚度用于增強所述2DEG的濃度； 所述In組分含量的計算公式具體為： ； 其中，表示GaAs緩沖層與InGaAs贗晶層之間的晶格失配應變，表示InGaAs贗晶層與n摻雜AlGaAs勢壘層之間的晶格失配應變，表示n摻雜AlGaAs的晶格常數，表示In組分含量x下的InGaAs贗晶層晶格常數，和分別表示InAs晶格常數和GaAs晶格常數，表示取絕對值，表示取使取最小值下的x值； 所述目標厚度的計算公式具體為： ； 其中，表示目標厚度，min表示取最小值，表示約化普朗克常數，表示與In組分含量x有關的InGaAs中的電子有效質量，表示自由電子靜止質量，表示與x有關的有效勢壘高度，表示與x有關的InGaAs贗晶層基態能級，表示與x有關的AlGaAsInGaAs導帶偏移，表示與x有關的GaAsInGaAs導帶偏移，表示在x下的不產生位錯缺陷下的InGaAs贗晶層最大厚度，b表示伯格斯矢量，表示泊松比，π表示圓周率，表示與x有關的有效總應變，ln表示自然對數函數。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中科(深圳)無線半導體有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區南頭街道馬家龍社區南山大道3838號工業村金棟309；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。