三星電子株式會社金熙中獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利制造半導體裝置的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111354727B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911326698.5，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權制造半導體裝置的方法是由金熙中;金根楠;黃有商設計研發完成，并于2019-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本制造半導體裝置的方法在說明書摘要公布了：一種制造半導體裝置的方法包括：堆疊第一模塑層和第一支撐件層；通過對第一支撐件層進行蝕刻來形成第一支撐件圖案，以暴露出第一模塑層；形成絕緣層以覆蓋暴露的第一模塑層和第一支撐件圖案；在絕緣層上堆疊第二模塑層和第二支撐件層；通過對第二支撐件層、第二模塑層、絕緣層、第一支撐件圖案和第一模塑層進行干法蝕刻來形成接觸孔；在接觸孔內形成下電極；去除第一模塑層、第二模塑層和絕緣層；以及在下電極和第一支撐件圖案上形成上電極，其中，在干法蝕刻期間，第一支撐件圖案的干法蝕刻速率與絕緣層的干法蝕刻速率相同。
本發明授權制造半導體裝置的方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括步驟： 在襯底上順序地堆疊第一模塑層和第一支撐件層； 通過對所述第一支撐件層進行蝕刻來形成第一支撐件圖案，以暴露出所述第一模塑層的上表面的至少一部分； 形成絕緣層以覆蓋所述第一模塑層的暴露的上表面和所述第一支撐件圖案； 在所述絕緣層上順序地堆疊第二模塑層和第二支撐件層； 通過掩模圖案對所述第二支撐件層、所述第二模塑層、所述絕緣層、所述第一支撐件圖案的至少一部分和所述第一模塑層進行干法蝕刻，來形成接觸孔； 在所述接觸孔內形成下電極； 去除所述第一模塑層、所述第二模塑層和所述絕緣層；以及 在所述下電極和所述第一支撐件圖案上形成上電極， 其中，在所述干法蝕刻期間，所述第一支撐件圖案的干法蝕刻速率與所述絕緣層的干法蝕刻速率相同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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