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龍圖騰網(wǎng)獲悉長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體(武漢)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120264837B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510733627.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛是由羅成志;唐宇坤設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-04向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛，半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體本體，半導(dǎo)體本體包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，半導(dǎo)體本體包括阱區(qū)、第一區(qū)域，第一區(qū)域位于第一表面，阱區(qū)位于第一區(qū)域遠(yuǎn)離第一表面的一側(cè)；第一表面設(shè)置有柵極溝槽，柵極溝槽從第一表面延伸至半導(dǎo)體本體中；第一外延層，位于柵極溝槽的底部；第一絕緣層，位于柵極溝槽的側(cè)壁以及第一外延層靠近第一表面的一側(cè)；位于柵極溝槽內(nèi)且位于第一絕緣層遠(yuǎn)離半導(dǎo)體本體一側(cè)的柵極；位于第一表面的源極；位于第二表面的漏極。本發(fā)明可以有效屏蔽柵極溝槽的底部和槽角的高電場(chǎng)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括： 設(shè)置為第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體本體，所述半導(dǎo)體本體包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述半導(dǎo)體本體包括設(shè)置為第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)、設(shè)置為第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)域，所述第一區(qū)域位于所述第一表面，所述阱區(qū)位于所述第一區(qū)域遠(yuǎn)離所述第一表面的一側(cè)；所述第一表面設(shè)置有柵極溝槽，所述柵極溝槽從所述第一表面延伸至所述半導(dǎo)體本體中； 第一外延層，設(shè)置為所述第二導(dǎo)電類型，位于所述柵極溝槽的底部和槽角； 第一絕緣層，位于所述柵極溝槽的側(cè)壁以及所述第一外延層靠近所述第一表面的一側(cè)； 位于所述柵極溝槽內(nèi)且位于所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體本體一側(cè)的柵極； 位于所述第一表面的源極； 位于所述第二表面的漏極； 靠近所述柵極溝槽底部的所述第一絕緣層由所述第一外延層熱氧化得到，靠近所述柵極溝槽底部的所述第一絕緣層厚度大于位于所述柵極溝槽的側(cè)壁的第一絕緣層的厚度。

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