買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉長飛先進半導體(武漢)有限公司申請的專利半導體器件及制造方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120282502B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510772500.5，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權半導體器件及制造方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛是由羅成志;唐宇坤設計研發完成，并于2025-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及制造方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件及制造方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛。半導體器件包括半導體本體，包括相對設置的第一表面和第二表面；半導體本體還包括阱區和第一區域；所述阱區與所述第一區域的第一側面相接，且所述阱區延伸至所述第一區域的第一底面并與所述第一底面相接；其中，所述第一底面與所述第一表面相對；隔離結構，位于所述第一表面且從所述第一表面延伸至所述第一區域內，所述隔離結構與所述第一側面間隔設置。本發明能夠在不增加外延生長時間的前提下提高半導體器件的擊穿電壓。在不增加外延生長時間的前提下提高半導體器件的擊穿電壓。

本發明授權半導體器件及制造方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 半導體本體，包括相對設置的第一表面和第二表面；所述半導體本體還包括阱區和第一區域；所述第一區域設置為第一導電類型且位于所述第一表面，所述阱區設置為第二導電類型且位于所述第一表面；所述阱區與所述第一區域的第一側面相接，且所述阱區延伸至所述第一區域的第一底面并與所述第一底面相接；其中，所述第一底面與所述第一表面相對； 隔離結構，位于所述第一表面且從所述第一表面延伸至所述第一區域內，所述隔離結構與所述第一側面間隔設置；所述隔離結構與所述第一側面不接觸； 柵極，位于所述第一表面； 源極，位于所述第一表面，且所述源極與所述第一表面接觸的部分位于所述隔離結構遠離所述第一側面的一側； 所述半導體本體還包括隔離槽，所述隔離結構位于所述隔離槽內；所述半導體本體還包括第二區域，所述第二區域設置為第一導電類型且位于所述第一表面，所述第二區域包括與所述第一表面相對的第二底面，所述第二區域位于所述隔離槽遠離所述第一側面的一側，且所述第一區域與所述第二底面相接，所述第一區域的離子濃度小于所述第二區域的離子濃度；所述隔離槽與所述第二區域間隔設置；所述隔離槽與所述第二區域不接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長飛先進半導體(武漢)有限公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大道999號武漢未來科技城龍山創新園一期B4棟18樓546室(自貿區武漢片區)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。