日月光半導體制造股份有限公司何政霖獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉日月光半導體制造股份有限公司申請的專利襯底結構、半導體封裝結構和半導體工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110277366B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910197196.0，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權襯底結構、半導體封裝結構和半導體工藝是由何政霖;李志成設計研發完成，并于2019-03-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本襯底結構、半導體封裝結構和半導體工藝在說明書摘要公布了：一種襯底結構包含布線結構和支撐件。所述布線結構包含第一介電結構、第一電路層、第二介電結構和第二電路層。所述第一電路層安置于所述第一介電結構上。所述第二介電結構覆蓋所述第一介電結構和所述第一電路層。所述第一電路層的墊部分從所述第一介電結構暴露，且所述第二電路層從所述第二介電結構突出。所述支撐件安置于鄰近所述布線結構的所述第一介電結構，并界定至少一個通孔對應于所述第一電路層的所述暴露的墊部分。
本發明授權襯底結構、半導體封裝結構和半導體工藝在權利要求書中公布了：1.一種襯底結構，其包括： 布線結構，其包含第一介電結構、第一電路層、第二介電結構和第二電路層，其中所述第一電路層安置于所述第一介電結構上，所述第二介電結構覆蓋所述第一介電結構和所述第一電路層，所述第一電路層的墊部分從所述第一介電結構暴露，且所述第二電路層從所述第二介電結構突出； 支撐件，其安置于鄰近所述布線結構的所述第一介電結構，并界定至少一個通孔，其對應于所述第一電路層的所述暴露的墊部分； 絕緣層，其安置于所述布線結構與所述支撐件之間，其中所述絕緣層是離型膜；以及 插塞材料，其安置于所述支撐件的所述至少一個通孔中，所述插塞材料的第一表面與所述支撐件的第一表面共面，且所述插塞材料的第二表面與所述支撐件的第二表面共面，其中所述插塞材料是樹脂。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人日月光半導體制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣高雄市楠梓加工區經三路26號郵編81170；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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