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龍圖騰網獲悉英飛凌科技股份有限公司申請的專利用于制造具有溝道截斷區域的半導體器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109994378B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811570537.6，技術領域涉及：H01L21/266；該發明授權用于制造具有溝道截斷區域的半導體器件的方法是由E.法爾克;F-J.尼德諾斯泰德;H-J.舒爾策設計研發完成，并于2018-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于制造具有溝道截斷區域的半導體器件的方法在說明書摘要公布了：在構件區域（600）的與鋸道區域（800）連接的邊緣區域中構造溝道截斷區域（191），其從第一主表面（701）出發延伸到第一導電類型的構件層（710）中。此后，在構件區域（600）中構造從第一主表面（701）出發延伸到構件層（710）中的經摻雜的區域（120）。溝道截斷區域（191）通過在第一光刻法之前實施的光刻法來構造，所述第一光刻法用于將摻雜物引入在溝道截斷區域（191）之外的構件區域（600）的區段中。

本發明授權用于制造具有溝道截斷區域的半導體器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括： 在構件區域600的與鋸道區域800連接的邊緣終止區域690中構造從第一主表面701出發延伸到第一導電類型的構件層710中的溝道截斷區域191；以及 構造在所述構件區域600中從所述第一主表面701出發延伸到所述構件層710中的經摻雜的區域120，其中 借助在第一光刻法之前實施的光刻法來構造所述溝道截斷區域191，其中所述第一光刻法用于將摻雜物引入到在所述溝道截斷區域191之外的所述構件區域600的區段中， 其中構造所述溝道截斷區域191包括：在第一主表面701上構造第一摻雜物掩模410以及將第一摻雜物195穿過所述第一摻雜物掩模410的掩模開口415引入，其中所述掩模開口415暴露出所述鋸道區域800的至少一個區段， 其中所述第一摻雜物195通過所述第一主表面701的、通過所述第一摻雜物掩模410的所述掩模開口415所暴露出的區段來被引入， 其中，在引入所述第一摻雜物195之后，至少另一次地實施如下過程順序，所述過程順序包括：移除所述第一摻雜物掩模410；將另外的構件層施加到所述第一主表面701上；構造具有掩模開口415的另外的第一摻雜物掩模410，所述另外的第一摻雜物掩模410的所述掩模開口415使得所述鋸道區域800的至少一個區段暴露出；以及 通過所述另外的第一摻雜物掩模410中的所述掩模開口415引入所述第一摻雜物195。

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