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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利集成電路元件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112310281B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010448203.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N70/20；該發(fā)明授權(quán)集成電路元件及其制造方法是由謝得賢;陳姿妤;涂國基;曾元泰設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-05-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本集成電路元件及其制造方法在說明書摘要公布了：一種集成電路元件及其制造方法，一電阻式隨機處理記憶體單元堆疊形成于一介電層中的一開口上，介電層足夠厚且開口足夠深，以使得電阻式隨機處理記憶體單元可用平坦化制程所形成。所得到的電阻式隨機處理記憶體單元可具有U形輪廓。電阻式隨機處理記憶體單元的面積包括來自平行于基材的電阻式隨機處理記憶體單元的層的底部的貢獻(xiàn)及大致上垂直于基材的電阻式隨機處理記憶體單元的層的側(cè)部的貢獻(xiàn)。彎曲的電阻式隨機處理記憶體單元的側(cè)部及底部的組合提供相較于平坦的單元堆疊的提升的面積，提升的面積降低了電阻式隨機處理記憶體單元的形成電壓及設(shè)定電壓。

本發(fā)明授權(quán)集成電路元件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路元件，其特征在于，包括： 一基材，具有一表面； 一金屬內(nèi)連接結(jié)構(gòu)，形成于該表面上； 一電阻式隨機處理記憶體單元，于該金屬內(nèi)連接結(jié)構(gòu)內(nèi)形成，該電阻式隨機處理記憶體單元包括一底電極層、一頂電極層及位于該底電極層及該頂電極層之間的一轉(zhuǎn)換層；其中該頂電極層的一頂部及該底電極層的一頂部在該基材上具有相等高度，該底電極層的一底部為長方形，該底電極層的一側(cè)部包括具有共享的邊緣的四個梯形； 一蝕刻停止層，位于該底電極層之下且位于該表面之上；及 一介面層，其中該蝕刻停止層與該底電極層被該介面層隔開，該介面層接觸該蝕刻停止層及該底電極層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行六路八號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。